JANS1N5822US 的信息:概述JANS1N5822US 是一款由 Microchip Technology (原 Microsemi) 公司生产的肖特基二极管整流器。它属于小信号
2024-04-03 08:46 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
1N6515US 1N6517US1N6517US QPL 二极管轴向引线和表面贴装，包括 JANTX/JANTXV。密封玻璃高压二极管按照 MIL-PRF-19500
2025-03-19 10:32 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
1N6515US 1N6517US1N6517US QPL 二极管轴向引线和表面贴装，包括 JANTX/JANTXV。密封玻璃高压二极管按照 MIL-PRF-19500
2025-03-19 10:34 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 一、N2028US-VB 产品简介 N2028US-VB 是一款采用 SOP-8 封装的单N沟道功率MOSFET，凭借其30V的漏源电压（V\(_{DS}\)）和±20V的栅源
2025-09-05 11:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、N2027US-VB 产品简介 N2027US-VB 是一款高性能 N 型 MOSFET，采用 **SOP8** 封装，专为低电压高电流应用而设计。其最大漏源电压（VDS）为
2025-09-05 11:20 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi US3416-VB 参数：- 封装：SOT23- 类型：N-通道MOSFET- 漏极-源极电压（Vds）：30V- 连续漏极电流（Id）：6.5A- 导通电阻（RDS(ON)）：47m
2024-04-11 11:57 微碧半导体VBsemi 企业号
US5S102/US5S103/US5S104是一款高性能、低偏斜时钟扇出缓冲器，此缓冲器可将一路单端输入分配到2路（US5S102）、3路（
2021-11-15 11:34 南京极景微半导体有限公司 企业号
VBsemi US3400-VB是一款SOT23封装的N—Channel沟道场效应晶体管，主要用于电子设备和模块。以下是该产品的详细参数说明和应用简介：- **参数说明:** - 封装类型
2024-04-11 11:50 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi US3406-VB 详细参数说明：**- **封装类型：** SOT23- **沟道类型：** N 沟道- **额定电压（VDS）：** 30V- **最大持续电流（ID
2024-04-11 11:53 微碧半导体VBsemi 企业号
US5D210是一款支持2.1GHz、1分10路LVDS差分输出的时钟缓冲器，适用于高频、低抖动时钟分配和电平转换。完全兼容IDT 5T9310
2021-09-30 14:09 南京极景微半导体有限公司 企业号
