UIS：英文全称Unclamped Inductive Switching，中文译为非嵌位感性负载开关过程。
2023-11-24 15:33
MOSFET的UIS及雪崩能量解析 在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩
2010-04-26 18:19
功率MOSFET的UIS雪崩损坏有三种模式：热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2023-06-29 15:40
选择一个工作点而不是另一个工作点作为数据表“最大”额定值的一些原因包括：选择工作点作为在生产线末端测试时用于筛选器件的相同工作点，或者出于营销或客户目的以指示某些所需的能量水平。
2024-02-27 09:56
在看到MOSFET数据表时，你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼，也一目了然（BVDS、RDS(ON)、栅极电荷），其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱两可（IDA、SOA曲线），而其它的某些参数自始至终就毫无用处（比如说：开关时间）。在这个即将开始的博文系列中，我们将试着破解FET数据表，这样的话，读者就能够很轻松地找到和辨别那些对于他们的应用来说，是最常见的数据，而不会被不同的生产商为了使他们的产品看起来更吸引人而玩儿的文字游戏所糊弄。
2024-12-30 10:23
UIS测试由图1中所示的测试电路执行。在FET关闭时，其上施加了一个电源电压，然后检查器件上是否有泄露。在FET接通时，电感器电流稳定增加。当达到所需的电流时，FET被关闭，FET上的Ldi/dt
2023-04-17 09:45
为了使他们的产品看起来更吸引人而玩儿的文字游戏所糊弄。 看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值 自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来，无钳位电感开关
2021-11-24 11:22
展锐8581E安卓核心板基于紫光展锐UIS8581E平台，采用先进的8核Arm Cortex-A55中央处理器架构，运用28nm制程工艺，确保高性能和低功耗。该核心板运行Android 10.0
2025-05-21 20:01 深圳市智物通讯科技有限公司 企业号
超融合是软件定义时代，企业构建基础设施的卓越选择。受益于第五代英特尔 至强 可扩展处理器的性能优势，我们增强了 H3C UIS 超融合方案在数据库等关键业务中的表现，实现了显著的代际性能提升。
2024-01-13 10:54
在看到MOSFET数据表时，你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼，也一目了然（BVDS、RDS(ON)、栅极电荷），其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱两可（IDA、SOA曲线），而其它的某些参数自始至终就毫无用处（比如说：开关时间）。
2017-04-18 11:36
