高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq:TGAN)今天宣布，公司已赢得一 份美国能源部先进能源研究计划署(ARPA-E
2023-02-21 13:51
Transphorm Inc.今天确认，其客户AES Aircraft Elektro/Elektronik System GmbH发布了首批650 V GaN基电源。为航空业服务的AES为客户提...
2022-01-11 10:52
(GaN)半导体的领导者Transphorm Inc.今天证实，TDK旗下集团公司、领先的电源制造商TDK-Lambda已推出其首款基于GaN的交流-直流(AC-DC)电源。额定功率达504 瓦的全功...
2022-01-06 15:56
加州戈拉塔--(美国商业资讯)--首类获得JEDEC和AEC-Q101认证、具有最高可靠性的高压(HV)氮化镓(GaN)半导体的设计和制造领导者Transphorm Inc.今天证实，台湾原始设备
2022-01-05 15:07
Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布与电源解决方案制造商Salom合作，面向市场推出符合Quick Charge 5标准的100瓦氮化镓电源适配器，产品预计将于2021年
2021-08-12 10:55
TP90H180PS 900V 165mΩ 氮化镓（GaN）场效应晶体管是一个正常关闭的设备。Transphorm GaN FET提供更好的性能通过更低的栅极电荷和更快的开关来提高效率速度和更小的反向恢复费用，提供与传统硅（Si）器件相比具有显著优势。
2022-03-31 14:50
TP65H300G4LSG 650V，240MΩ氮化镓（GaN）FET是一种使用Transphorm的Gen IV的常闭器件站台它结合了最先进的高压氮化镓HEMT采用低压硅MOSFET，提供卓越的性能可靠性和性能。
2022-03-31 14:55
TP65H035G4WS 650V，35MΩ氮化镓（GaN）FET是一种使用Transphorm的Gen IV的常闭器件站台它结合了最先进的高压氮化镓HEMT采用低压硅MOSFET，提供卓越的性能可靠性和性能。
2022-03-31 14:42
TP65H050G4WS 650V，50MΩ氮化镓（GaN）FET是一种使用Transphorm的Gen IV的常闭器件站台它结合了最先进的高压氮化镓HEMT采用低压硅MOSFET，提供卓越的性能可靠性和性能。
2022-03-31 15:17
TP65H480G4JSG 650V，480mΩ 氮化镓（GaN）FET是一种使用Transphorm的Gen IV的常闭器件站台它结合了最先进的高压氮化镓HEMT采用低压硅MOSFET，提供卓越的性能可靠性和性能。
2022-03-31 15:02
