我们华林科纳研究了TMAH溶液中摩擦诱导选择性蚀刻的性能受蚀刻温度、刻蚀时间和刮刻载荷的影响，通过对比试验，评价了硅摩擦诱导的选择性蚀刻的机理，各种表面图案的制造被证明与控制尖端痕迹划伤。 蚀刻时间
2022-05-20 16:37
本文研究了氢氧化钾、TMAH（C6H4(OH)2)溶液中氢氧化铵（四甲基铵）和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的浓度和温度对硅表面的影响，制作了光滑的垂直墙和悬吊梳式结构。
2022-04-26 14:08
本文提出了一种将垂直氮化镓鳍式场效应晶体管中的鳍式沟道设计成直而光滑的沟道侧壁的新技术。因此，详细描述了在TMAH溶液中的氮化镓湿法蚀刻；我们发现m-GaN平面比包括a-GaN平面在内的其他取向
2022-05-05 16:38
在湿法各向异性蚀刻中，底切凸角的蚀刻轮廓取决于蚀刻剂的类型。已经进行了大量的研究来解释这种凸角底切并确定底切平面的方向。然而，还不清楚为什么不同蚀刻剂会出现不同形状的底切前沿。
2022-05-24 14:27
损伤并平滑垂直侧壁。图中。 在 TMAH 溶液中化学抛光不同时间后的 GaN m 面和 a 面侧壁的 SEM 图像。(a) 六方纤锌矿结构的晶胞示意图。(b) 鸟瞰图（倾斜于20°) ICP 干法蚀刻
2021-07-09 10:21
项工作中，使用光刻和蚀刻技术将晶体硅(c- Si)晶片深度蚀刻至厚度小于20 μm。使用SPR 220-7.0和SU-8光刻胶，使用四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法各向异性蚀刻和基于等离子体的反应离子蚀刻(RIE)。二氧化硅用作TMAH蚀刻的制造层。4英寸c-Si晶
2022-06-10 17:22
。二氧化硅通过分别用于微米和纳米鳍的光和电子束光刻形成图案，随后在氢氟酸中进行湿法蚀刻。使用用异丙醇(IPA)稀释的四甲基氢氧化铵(TMAH)以及具有表面活性剂(Triton-X-100)的硅掺杂TMAH
2022-07-08 15:46
高度光滑表面光洁度的45个反射镜。在这项工作中，我们使用了一种CMOS兼容的各向异性蚀刻剂，含有四甲基氢氧化铵(TMAH)和少量(0.1% v/v)的非离子表面活性剂(NC-200)，含有100%的聚氧
2022-03-14 10:51
)、(TMAH)、NaOH等，但KOH与TMAH相比，平整度更好，并且只对硅的 100 表面做出反应，因此Fig。如1所示，具有54.74的各向异性蚀刻特性，毒性小。使用KOH的硅各向异性湿式蚀刻在压力传感器、加速度计、光学传感器等整体MEMS装置结构形成等中使用
2021-12-23 09:55
