，该SoC包含嵌入式跟踪宏单元(ETM)。 ETM以全核速度监控ARM指令和数据总线。 ·它以高达200 MHz的时钟速度收集跟踪信息。 ·上传到跟踪调试工具(TDT)使用以太网10/100base T
2023-08-16 06:11
嗨，我正在使用86100D DCA-X和54754A TDR / TDT模块和N1021B差分探头来测量我的电缆。测量在阻抗模式下完成。我可以将阻抗读数转换为与我使用标记测量的电感和电容相关的电感
2019-08-01 13:48
引言在频域、时域、阻抗域三种电学基本特性测试测量仪器中，以阻抗域测试测量仪器所用电路结构最复杂、测试操作最费时间、成套价格最高。目前能够供应GHz级阻抗域测试测量仪器的公司亦为数不多，特别是矢量网络分析仪(VNA)只有是德科技、罗德与施瓦茨、安立等几家公司生产。VNA的最高带宽达到65GHz，前端使用变频器可将带宽扩大至120GHz，成套售价在二十万美元以上。我们知道，任何电子元器件都可用二端或四端网络来表征，所用参数有Z(阻抗)、Y(电导)、H(混合)和S(散射)，由于Z、Y、H参数的测量都涉及开路、短路条件，这些条件在GHz频段不易实现，因此VNA测量的是阻抗匹配条件下的S参数。在十年前一些测试测量专家试图从时域—频域特性测量入手，通过快速傅立叶函数变换将幅度—时间特性变成分立的幅度—频率特性，在此基础上推导出S参数。整个测试过程和测量条件与直接测量S参数相同，只是激励源从扫频发生器改为阶跃脉冲发生器，从时域反射(TDR)和时域传输(TRT)参数导出S参数。最简单的一个物理同轴线连接点的二端口S散射矩阵见表达式(1)，它是由输入端口和输出端口的入射波和反射波来定义的四个Sij参数。每个端口的电压V和电流I分别由入射波V+、I+和反射波V-、I-组成，即V=V++V-和I=I++I-。从表达式(1)和图1a可知，S11是输入端口电压反射系数，S12是反向电压增益，S21是正向电压增益，S22是输出端口电压反射系数。全部S参数都是在同轴线的输入和输出阻抗匹配的条件下获得的。1a 二端口网络1b 四端口网络图1 S 参数阵列在图1b四端口的情况下，S散射矩阵要复杂得多，它由二端口扩展而成，由四组共16个Sij参数来定义，见表达式(2)。
2019-07-18 07:01
.85024A高频探头，300 kHz至3 GHz是否适合测量？我可以在E5071C上使用N1021B 18 GHz差分TDR / TDT探头套件吗？ 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Hi, I need
2019-03-27 10:19
，速度线性减小，位移是时间的二次多项式。一般假设加速段TaT_aTa和减速段时间TdT_dTd相等[1]
2021-09-03 07:32
JTAG接口单元，那么对于ETM跟踪，您必须具有Multi-ICE已安装2.0或更高版本。对于XScale跟踪，必须安装Multi ICE 2.1版或更高版本。 安装TDT 1.2时，当您接下来运行AXD
2023-08-02 11:02
???问题2：可以修改tcc，tdt，tblank寄存器以在高转速时获得更好的扭矩吗？ 我全程检查了设置板。当然，扭矩更好但我不能在高速下获得所需的扭矩。对我来说解决这个问题非常重要。我有很多机器在等待
2019-03-27 14:39
、C、X雷达波段·精密定时和相位分析·数字系统设计和表征·高达6Gb/s的眼图、模板和限值测试·Ethernet、HDMI1和HDMI2、PCI、SATA、USB·网络的TDR/TDT测量和分析·光纤
2017-08-01 10:03
IGATE = 64 mA TBLANK = 500 nSg TDT = 250 nSg 我使用3.3v外部电源：VCCREG，VREG和VDDIO连接到这个3.3v外部电源。 我使用VSREG和内部
2018-10-24 11:17
= 96mA，TCC = 3750ns）GATECFG2 = 0xE2（TBLANK = 1000ns，TDT = 375ns）STEP_MODE = 0x07（128微步）OCD_TH
2019-06-04 14:39
