### AP90T03GH-VB 产品简介AP90T03GH-VB 是一款单N通道MOSFET,具有高性能的功率开关特性,适用于各种需要高效能和高可靠性的电源管理和功率控制应用。它采用TO252封装
2024-12-21 16:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、90T03GR-VB 产品简介90T03GR-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO262 封装,适用于高电流和低压降的应用场合。其优异的导通特性和低导通电阻使其成为电源管理
2024-11-22 17:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP90T03GI-VB 产品简介AP90T03GI-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,具有低导通电阻、高电流承载能力和优秀的功率转换特性。适用于需要高效能和可靠性
2024-12-23 14:42 微碧半导体VBsemi 企业号
### 90T03P-VB MOSFET 产品简介90T03P-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO220封装,适合于各种需要高功率和高效率的电子应用。它具有极低的导通电阻、高电流承受能力
2024-11-22 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP90T03GHR-VB 产品简介AP90T03GHR-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET,采用 TO252 封装。它具有高度集成的设计和优异的导通特性,适合高性能电子电路的需求。该
2024-12-21 16:12 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:9N90L-T47-T-VB**9N90L-T47-T-VB 是一款单N沟道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有高达900V的漏源电压额定值,适合
2024-11-27 11:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 90T03S-VB MOSFET 产品简介90T03S-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 Trench 技术制造,封装为 TO263。它具有30V 的漏源电压 (VDS) 能力
2024-11-22 17:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介90T03GS-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO263封装,具有优异的导通特性和低开关损耗。设计用于低电压高电流应用场合,能够提供高效的功率管理解决方案。### 二
2024-11-22 17:52 微碧半导体VBsemi 企业号