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型号：<b class='flag-s-7'>065N</b>06L-VB 品牌：微碧

以下是关于VBsemi的MOSFET产品065N06L-VB的详细信息：1. 产品简介：  - 型号：065N06L-VB  - 封装：TO263  - 构造：单N沟道

2024-07-03 13:43 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：16<b class='flag-s-7'>N60E</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介**型号：16N60E-VB**16N60E-VB是VBsemi公司生产的单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。该产品具有高耐压性和低导通电阻，适用于高压、高电流的开关电源

2024-07-08 14:32 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：XD060Q<b class='flag-s-7'>065</b>AY1S3 品牌：

深圳市三佛科技有限公司 供应XD060Q065AY1S3 (650V/60A)国产IGBT单管，原装现货XD060Q065AY1S3  XDM芯达茂 IGBT单管

2025-01-06 17:36 深圳市三佛科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>065N</b>06L-VB TO263 品牌：微碧

VBsemi的065N06L-VB是一款TO263封装的单N沟道MOSFET。它具有60V的漏极-源极电压（VDS）、20V（±V）的门极-源极电压（VGS）、3V的阈值电压（Vth）、在VGS

2024-07-03 13:41 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>065N</b>03L-VB TO220 品牌：微碧

**产品简介：**VBsemi的065N03L-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用槽沟技术，适用于各种应用。该器件具有低导通电阻、高漏极电流和低门极电压等特点，适用于要求高效率和低功率损耗

2024-07-03 13:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：XD050Q<b class='flag-s-7'>065</b>AY1S3 品牌：

深圳市三佛科技有限公司供应XD050Q065AY1S3（650V/60A)国产IGBT单管，原装现货 XD050Q065AY1S3   50A 650V TO-247-3L

2025-01-06 17:26 深圳市三佛科技 企业号

型号：10<b class='flag-s-7'>N60E</b>-VB 品牌：微碧

### 10N60E-VB 产品简介#### 一、产品简介10N60E-VB 是一种高性能的单通道N型MOSFET，采用TO220F封装技术。它具有高电压、高电流的特点，能够承受650V的漏源电压

2024-07-04 17:04 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：JT050<b class='flag-s-7'>N065</b>WED 品牌：

JT050N065WED  50A 650V   N沟道绝缘栅双极晶体管用途●逆变器●UPS电源产品特性●低栅极电荷●TrenchFS技术,●通态压降, Ve(sat), typ= .1.6V@Ic=50AandTc= 25°C●RoHS产品&

2023-01-09 10:59 深圳市岩旭科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>065N</b>03L-VB TO263 品牌：微碧

以下是VBsemi公司的MOSFET产品065N03L-VB的详细信息：1. 产品简介：  065N03L-VB是一款单N沟道（Single-N-Channe

2024-07-03 13:37 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>065N</b>03MS-VB 品牌：微碧

### 产品简介：VBsemi的065N03MS-VB是一款SOP8封装的单N沟道场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有30V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS，正负

2024-07-03 13:39 微碧半导体VBsemi 企业号