2013 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届
2013-10-10 15:08
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN -20V P沟道Gen III功率MOSFET荣获EDN China 2013创新奖之电源器件和模块类最佳产品奖。
2013-12-20 09:10
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，该公司的20V P沟道功率MOSFET Si7655DN和高性能镀金属直流聚丙烯薄膜
2013-03-22 14:01
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17
DN35的外形 DN35是输出
2009-10-22 16:44
SI9120内部框图 SI9120采用电流型
2009-10-15 15:09
1，基本参数对比 2， SI4432： SI4432是一款高集成度的芯片，减少了外围器件的成本，同时简化了整个系统设计，其具有极低的接收灵敏度、+20dBm的功率输出、内置天线多样性、支持跳频以及
2021-04-27 14:12
镜头DG和DN之间存在几个主要区别，包括设计、适用范围和使用目的等方面。下面将从这些方面详细介绍它们之间的区别，以及每种镜头的优点和缺点。 一、设计差异 外观设计：DG（Digital）镜头和DN
2024-01-12 13:51
DN25的典型应用电路 DN25的典型应用电路如图所示。输入电压V1为25V稳定度为0.12
2009-11-14 11:03
Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05
