STK001SF-VB 详细参数和应用简介：**参数：**- 丝印：VB1240- 品牌：VBsemi- 封装：SOT23- 类型：N—Channel沟道- 额定电压：20V- 额定电流：6A- 导
2024-04-09 16:02 微碧半导体VBsemi 企业号
### **STK1060F-VB 产品简介**STK1060F-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 通道 MOSFET，设计用于高效的开关电源和负载控制应用。其最大漏源电压（VDS）为
2025-09-18 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、STK0465F-VB 产品简介STK0465F-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 沟道 MOSFET，设计用于高电压和中等电流的应用场景。其漏源电压（VDS）为 650V
2025-09-18 14:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### **STK0465-VB 产品简介**STK0465-VB 是一款单 N 通道 MOSFET，采用 TO220F 封装，设计用于高效的电源管理和开关控制应用。它的最大漏源电压（VDS）为
2025-09-18 14:30 微碧半导体VBsemi 企业号
### STK0850F-VB MOSFET 产品简介**STK0850F-VB** 是一款高电压单N通道MOSFET，采用TO220F封装，适用于高达650V的电压环境，并且最大栅源电压为±30V
2025-09-18 14:34 微碧半导体VBsemi 企业号
### **STK830F-VB 产品简介**STK830F-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 通道 MOSFET，采用先进的 Plannar 技术设计，具有 650V 的最大漏源电压
2025-09-18 14:50 微碧半导体VBsemi 企业号
产品型号: STK004SF-VB丝印: VB1330品牌: VBsemi参数: - 封装类型: SOT23- 沟道类型: N—Channel- 最大漏极电压: 30V- 最大漏极电流
2024-04-09 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### STK730F-VB MOSFET 产品简介STK730F-VB 是一款具有高电压承受能力的单极N型 MOSFET，封装采用TO220F。其最大漏极到源极电压 (VDS) 为650V，适用于
2025-09-18 14:47 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**STK0760F-VB** 是一款 **单 N 沟道 MOSFET**，采用 **TO220F** 封装，设计用于中高压应用，具有 **650V** 的最大漏源电压（VDS
2025-09-18 14:32 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**STK0460F-VB** 是一款 **Single-N-Channel MOSFET**，采用 **TO220F** 封装，专为高电压、高负载应用设计。该产品具备 **650V
2025-09-18 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
