Qorvo 的 CMD192 是宽带 GaAs MMIC 分布式驱动放大器芯片,工作频率为直流至 20 GHz。该放大器提供大于 19 dB 的增益,相应的输出 1 dB 压缩点为 +24.5
2022-11-04 11:04 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 一、2SJ192-VB产品简介2SJ192-VB是一款高性能的P-沟道MOSFET,采用TO-252封装。该器件具有高漏极-源极电压(VDS)、低导通电阻和高电流处理能力,适用于各种要求严格
2024-07-12 15:48 微碧半导体VBsemi 企业号
dB 的增益,相应的输出 1 dB 压缩点为 +25 dBm,噪声系数为 1.9 dB,10 GHz。CMD192C5 LNA MMIC 是一种 50 欧姆匹配
2022-11-04 11:20 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 产品简介**BSS192P-VB** 是一款单极性P沟道功率MOSFET,封装为SOT89。这款MOSFET具有-200V的漏源电压(VDS),支持最大±20V的栅极源电压(VGS)。其
2025-01-10 14:26 微碧半导体VBsemi 企业号
特点1 • 低失调电压:±5µV • 低失调电压漂移:±0.2µV/°C • 低噪声:1kHz时为5.5nV/√Hz • 高共模抑制:140dB • 低偏置电流:±5p
2025-02-20 13:56 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
### 产品简介BSS192-VB 是一款高电压单通道 P 沟道 MOSFET,封装为 SOT89,专为高电压开关和负载控制应用设计。它具有 -200V 的漏极-源极耐压、±20V 的栅极-源极耐压
2025-01-10 14:28 微碧半导体VBsemi 企业号
REF19x系列精密带隙基准电压源采用温度漂移曲率校正专利电路,并对高稳定性薄膜电阻进行激光调整,从而实现极低的温度系数和高初始精度。该系列由微功耗、低压差(LDV)器件组成,可利用仅比输出电压高出100 mV的电源提供稳定的输出电压,耗用的电源电流低于45 μA。通过对SLEEP 引脚施加低TTL或CMOS电平,可以使能休眠模式。在休眠模式下,输
2023-06-26 16:15 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
Y 型分线器,M12 插头 5 针转 2x M12 插座 4 针 A 型通用规格连接器 1 连接插座 结构类型M12 样式直型 锁定螺钉连接
2022-09-27 09:28 上海冠宁科技发展有限公司 企业号