TTM Technologies 的 X3C45F1-05S 是一款定向耦合器,频率为 3.6 至 5.1 GHz,耦合度 5 dB,方向性 20 dB,平均功率 25 W,插入损耗 0.2 dB
2023-08-16 16:10 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
TTM Technologies 的 X3C35F1-05S 是一款定向耦合器,频率为 3.1 至 4.2 GHz,耦合度 4.9 dB,方向性 20 dB,平均功率 25 W,插入损耗 0.2
2023-08-16 15:56 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
TTM Technologies 的 X3C07F1-05S 是一款定向耦合器,频率为 600 MHz 至 1 GHz,耦合为 5 至 5.35 dB,耦合变化 ±0.3 dB,方向性为
2023-08-16 11:08 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
TTM Technologies 的 X3C20F1-05S 是一款定向耦合器,频率为 1.7 至 2.3 GHz,耦合 5 dB,耦合变化 ±0.2 至 ±0.3 dB,方向性 20 dB
2023-08-16 11:52 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
**SDF05N05-VB** 是一款 **单极性N型MOSFET**,采用 **TO220F** 封装,专为高电压和中等功率应用设计。它的 **VDS** 为 **650V**,具有很高的电压
2025-09-17 11:28 微碧半导体VBsemi 企业号
TTM Technologies 的 X3C25F1-05S 是一款定向耦合器,频率为 2.2 至 2.8 GHz,耦合为 4.9 dB,耦合变化 ±0.20 dB,方向性为 20 至 23 dB
2023-08-16 14:37 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 产品简介**UT05N50F-VB** 是一款具有 TO220F 封装的单极性 N 通道功率 MOSFET,设计用于高电压应用,具有 650V 的漏极-源极最大电压(VDS)。该产品采用平面
2025-09-22 16:10 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi的05N50-VB是一款TO220F封装的单N沟道MOSFET。它具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V(±V)的门极-源极电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth)、在VGS
2024-07-03 11:49 微碧半导体VBsemi 企业号