### 产品简介5N52U-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，设计用于高压应用环境。其具有优异的电性能和可靠性，适合需要高电压承受能力和低导通电阻的电路设计。### 详细参数
2024-11-14 15:47 微碧半导体VBsemi 企业号
产品概述 STM STD6N80K5 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，专为高电压和高电流应用而设计。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于电源管理、逆变器和其他高效能电路
2025-02-09 23:24 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 5N52K3-VB 产品简介5N52K3-VB 是一款单 N-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用TO251封装，适用于中高压应用场合，具有良好的导通特性和可靠性
2024-11-14 15:44 微碧半导体VBsemi 企业号
5CSEBA5U23A7N是英特尔（Intel）的Cyclone V系列FPGA产品之一。该产品采用了台积电的22纳米工艺制造，具有低功耗和高性能的特点。作为一款可编程逻辑器件，它在数字信号处理
2024-04-25 12:18 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介5N52K3-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，设计用于高压和中功率应用。它具有低导通电阻、高电压承受能力和稳定的性能特点，适合于各种需要可靠开关和电流
2024-11-14 15:46 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介5N52K3-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，适用于高压功率开关和控制应用。具有高耐压特性、稳定的电性能和低导通电阻，适合要求高效能和可靠性的电源管理和电动驱动
2024-11-14 15:42 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5N52K3-VB TO220 MOSFET 产品简介5N52K3-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装。该器件适用于中等高压应用，具有600V的漏极-源极电压（VDS
2024-11-14 15:40 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介52N25M5-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 DFN8(5X6) 封装，具有高电压承受能力和低导通电阻，适合需要高效能和紧凑空间的功率管理应用。### 详细参数
2024-11-14 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
5CEBA4U15I7N：高性能电子元器件解析在现代电子技术中，选择合适的电子元器件是设计和开发高性能产品的关键。今天，我们将重点介绍型号为 5CEBA4U15I7N 的电子元器件，分析其产品详情
2024-09-27 16:00 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
**VBsemi STD5N20LT4-VB****详细参数说明:**- 类型: N沟道场效应管 (N-Channel MOSFET)- 额定电压(VDS): 200V- 最大电流(ID): 4A-
2024-02-19 11:26 微碧半导体VBsemi 企业号
