本文简单介绍了两种常用的SOI晶圆——FD-SOI与PD-SOI。
2024-03-17 10:10
绝缘体上硅（SOI）硅片由顶层硅膜、埋氧层和硅衬底三部分组成。
2022-09-13 11:12
中国至少已浮出三家晶圆厂将采用SOI工艺先进制程。根据MarketsandMarkets 最新预估，SOI市场在2022年市场价值将达18.6亿美元，2017-2022年期间平均复合成长率将达29.1%。其中，亚太区晶圆厂将是主力客户。
2018-07-11 10:37
硅片是半导体制造的基础，绝大多数的芯片都是在硅片上制造的。SOI（silicon on insulator ）利用绝缘层将单晶硅薄膜与单晶硅片隔离开来。
2024-05-06 09:29
常规的绝缘层上硅 (Silicon on Insulator, SOI）是通过注氧隔离 (Separation by Implanted Oxygen, SIMOX)、智能切割 （Smart Cut） 等方法在体硅衬底中引入绝缘层，从而达到表层硅与衬底硅电学隔离的目的的。
2022-10-12 09:09
- 高于3 GHz，包括5-7 GHz。今天，我们看到超宽带和毫米波的加入。最新的移动设备配备了支持所有这些频段的天线，这使得设计工程师在优化天线效率、功率和范围时面临挑战。为了应对这些设计挑战，必须使用更新的SOI技术开发。
2023-02-22 11:24
生产FD-SOI工艺的公司有ST Micro（其正在将此工艺用作28纳米IDM的生产），三星代工厂（28纳米工艺投产中，18纳米工艺计划投产），以及格芯代工厂（22纳米工艺投产中，12纳米计划投产）。
2018-08-02 11:35
即便不考虑RF设备和工艺类型的变革，当今RF市场的挑战也足以令人望而生畏。Cavendish Kinetics公司总裁兼首席执行官Paul Dal Santo表示：“几年前，RF还是一项相当简单的设计，但是现在，事情已经发生了大大的改变。首先，您的射频前端必须处理范围非常广泛的频带，从600MHz一直延伸到3GHz。随着更加先进的5G技术的到来，频段将进一步上延，达到5GHz至60GHz。这给前端RF设计师带来了一些难以置信的挑战。”
2017-05-03 15:41
压敏电阻的制备关键在于掺杂浓度的把控及后续刻蚀成型工艺的优化；金属引线层则主要起到惠斯通电桥的联通；压力敏感膜的制备主要依托深硅刻蚀工艺；压力腔的封装通常会因压力传感器的用途不同而有所变化，本文给出的两种可能的封装形式如图3所示。
2018-05-21 09:37
