、主要技术数据输入电压：20~28V（典型24V）输出电压：5V输出电流：10A负载调整率：0.2%效率：81%2、SIPMOS晶体管损耗导通时 PVD：1.0W开关时 PVS：0.4W总损耗
2021-05-14 07:41
，提昇功率晶體的散熱能力及最大功率承受能力。英飛凌首先在1996年推出第一代低壓功率晶體(Power MOSFET) SIPMOS系列後，陸續以溝渠式結構(Trench)在2000年、2002年
2018-12-05 09:46
。 今天的MOSFET与最初的MOSFET有很大不同。当几家大公司将多蜂窝芯片推向市场时，突破就出现了;IR称它们为Hexfets，因为这些电池是六边形的。摩托罗拉称它们为TMOS，西门子SIPMOS等
2023-02-20 16:40
™, PrimePACK™,PrimeSTACK™,PRO-SIL™,PROFET™,RASIC™,ReverSave™,SatRIC™,SIEGET™, SINDRION™, SIPMOS
2018-12-05 09:51
