SI2305DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品,丝印型号为VB2290;采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS
2023-11-30 14:21 微碧半导体VBsemi 企业号
SI2305CDS-T1-GE3 (VB2290)参数说明:P沟道,-20V,-4A,导通电阻57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V),阈值电压-0.81V,封装:SOT23
2023-12-09 14:57 微碧半导体VBsemi 企业号
SI2305ADS-T1-GE3 (VB2290)参数说明:P沟道,-20V,-4A,导通电阻57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,门源电压范围12V(±V),阈值电压-0.81V,封装
2023-12-09 14:55 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:SI2305DS-T1-GE3-VB丝印:VB2290品牌:VBsemi参数:- 封装类型:SOT23- 沟道类型:P—Channel- 最大漏电压(Vds):-20V- 最大漏极电流(Id
2023-12-22 16:59 微碧半导体VBsemi 企业号
产品型号:DTS2305-VB丝印:VB2290品牌:VBsemi参数:- 封装类型:SOT23- 沟道类型:P—Channel- 额定电压:-20V- 额定电流:-4A- 开通电阻:RDS
2024-03-18 14:23 微碧半导体VBsemi 企业号
### CHM2305PT-VB型号:CHM2305PT-VB丝印:VB2355品牌:VBsemi参数:- 封装类型:SOT23- 沟道类型:P—Channel- 额定电压:-30V- 额定电流
2024-03-15 16:23 微碧半导体VBsemi 企业号
SSM2305采用高功效、低噪声调制方案,无需外部LC输出滤波器。即使输出功率较低时,该调制方案也能提供高功效。采用5.0 V电源时,以1.3 W功率驱动8 Ω负载时的功效比为90%,以2.2 W
2023-07-10 14:32 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
**VBsemi AP2305AGN-VB 产品详细参数说明与应用简介****参数说明:**- **型号:** AP2305AGN-VB- **丝印:** VB2355- **品牌
2024-02-03 11:51 微碧半导体VBsemi 企业号