### 9468GS-VB MOSFET 产品简介9468GS-VB是一款单N沟道MOSFET,采用先进的Trench技术,封装形式为TO263。该MOSFET具有极低的导通电阻和高电流处理能力
2024-11-25 11:46 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP9468GH-VB 产品简介AP9468GH-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET,采用先进的Trench工艺制造,封装形式为TO252。该器件具有极低的导通电阻、高电流能力以及较高
2024-12-25 10:13 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP9468GP-HF-VB 产品简介AP9468GP-HF-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO220封装。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于广泛的电源管理和负载开关
2024-12-21 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介#### 9468GH-VB 产品简介9468GH-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。该器件具有高漏源电压和极低导通电阻,适用于需要高电流承载和高效率的电子
2024-11-25 11:42 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP9468GH-HF-VB 产品简介AP9468GH-HF-VB 是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO252封装,适用于要求高电流和高效能的电源管理和开关应用。它采用先进的沟槽技术设计
2024-12-25 10:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP9468GJ-VB 产品简介AP9468GJ-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用先进的Trench技术,封装在TO251中。它具有低导通电阻和高电流承载能力,适合要求高功率
2024-12-25 10:17 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介9468GJ-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用了先进的Trench技术,封装在TO251中。具有极低的导通电阻和高电流承载能力,适用于要求高功率密度和高效率的功率开关
2024-11-25 11:44 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP9468GS-VB 产品简介AP9468GS-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO263封装。该器件采用先进的Trench技术制造,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于高
2024-12-25 10:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP9468GP-HF-VB 产品简介AP9468GP-HF-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO220封装。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于广泛的电源管理和负载开关
2024-12-25 10:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP9468GJ-HF-VB 产品简介AP9468GJ-HF-VB 是一款高功率单 N 沟道 MOSFET,采用 TO251 封装,适用于需要高电流处理和低导通电阻的电源管理和电动汽车
2024-12-25 10:15 微碧半导体VBsemi 企业号