对于我国的半导体行业来说，碳纳米管+RRAM+ILV 3DIC是一个值得关注的领域。目前碳纳米管+RRAM+ILV 3DIC是否能真正成为下一代标准半导体工艺还存在很大的不确定因素，因此在适当
2019-09-09 17:00
忆阻器英文名为memristor, 用符号M表示，与电阻R，电容C，电感L构成四种基本无源电路器件，它是连接磁通量与电荷之间关系的纽带，其同时具备电阻和存储的性能，是一种新一代高速存储单元，通常称为阻变存储器（RRAM）。
2022-10-20 10:22
忆阻器英文名为memristor, 用符号M表示，与电阻R，电容C，电感L构成四种基本无源电路器件，它是连接磁通量与电荷之间关系的纽带，其同时具备电阻和存储的性能，是一种新一代高速存储单元，通常称为阻变存储器（RRAM）。
2023-07-12 11:10
他们的解决方案依赖于碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）和电阻式RAM存储器（RRAM）的3D集成。这种技术是Shulaker在斯坦福大学期间，协助 H.-S. Philip Wong
2019-03-05 11:10
（phase-change memory, PCM）、磁阻式随机存储（magnetoresistive random access memory, MRAM以及阻变式存储（resistive random access memory, RRAM）等主要非易失性存储技术已经有了较长的开发历史。
2018-07-04 11:55
新的技术出来。除了主流的电荷捕获（charge trap）存储器外，还有铁电存储器（FRAM）、相变存储器（PRAM）、磁存储器（MRAM）和阻变存储器（RRAM）。
2019-01-01 08:55
