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　　RRAM一般指阻变式存储器，阻变式存储器（RRAM）是以非导性材料的电阻在外加电场作用下，在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的非易失性存储器。

百度百科给出的解释是：RRAM是一种“根据施加在金属氧化物(Metal Oxide)上的电压的不同，使材料的电阻在高阻态和低阻态间发生相应变化，从而开启或阻断电流流动通道，并利用这种性质储存各种信息的内存”。

2018-05-11 14:53

嵌入式闪存微控制器自推出第一批发动机管理系统以来，就被用作汽车中的ECU，市场上大多数MCU系列都基于eFlash技术，但该技术一直在努力迁移到28纳米以下，并且也被认为效率低于RRAM。

2022-11-29 15:09

近年来，RRAM 因其结构简单、保持时间长、运行速度快、超低功耗运行能力、能够在不影响器件性能的情况下扩展到更低的尺寸以及可进行三维集成的可能性而日益受到重视。过去几年的研究表明，RRAM 是后 CMOS 时代设计高效、智能和安全计算系统的最合适候选者之一。

2024-05-16 17:01

基于金属氧化物的非挥发性记忆体──电阻式 RAM (RRAM)，在 11nm 节点前不可能进入市场;在此之前，堆叠式浮闸 NAND 快闪记忆体相对较具潜力，而且很可能会朝向2~4Tbit的独立型整合晶片发

2011-10-24 09:54

电子发烧友网综合报道，RRAM（阻变存储器）存储是一种新兴的非易失性存储技术，它基于材料的电阻变化来存储数据。其存储单元通常由两个电极和中间的阻变材料组成。当在电极上施加一定的电压脉冲时，阻变材料

2025-04-10 00:07

嵌入式闪存及其对应的离片NOR闪存，在非易失性内存领域（即用于持久性或长期数据存储）多年来占据着标准地位。然而，随着工艺技术尺寸缩小至28nm以下，这些传统内存技术在支持方面显得力不从心。此外，它们原本并非为AI、物联网以及其他要求快速且大规模数据收集、传输、存储及分析的应用而设计。

2024-11-18 09:29

8月6日消息，美国加州创业公司Crossbar发布了一种新型芯片，能以邮票大小存储1TB的数据。该芯片采用RRAM技术，颠覆传统的闪速存储器，数据存储速度是其的20倍。RRAM是一种非易失性存储器，数据可永久存储，即使是在电源被切断的情况下。

2013-08-07 11:03

近期，后摩智能完成首款可商用的RRAM测试及应用场景开发，探测及证实了现有工业级的RRAM的技术边界。后续将与车规级应用场景结合，希望与伙伴共同打造新兴存储及新型存算计算范式，赋能客户。

2023-08-17 14:16

代工企业，与阻变式存储器（RRAM）技术领导者Crossbar，今日共同宣布双方就非易失性RRAM开发与制造达成战略合作协议。

2016-03-13 12:05

个名为Row Hammer的顽固安全漏洞。 Spin Memory的垂直环绕栅晶体管可以缩小MRAM和RRAM存储单元。 Spin Memory将设备称为通用选择器（Universal

2020-09-04 16:10