达拉斯半导体非易失性（NV）SRAM由内部电池备份。市场上的其他一些NV存储器，如NOVRAM，使用内部EEPROM备份数据。本应用笔记讨论了电池供电NV SRAM和NOVRAM之间的差异。
2023-01-10 14:25
在测试MPSoC VCU的编解码时，经常需要使用NV12 YUV文件。YUV文件很大，所以经常依靠解压MP4等文件来产生NV12 YUV文件。 FFMpeg是一个强大的工具，可以用来从MP4文件生成NV12 YUV文
2022-08-02 09:56
自NV SRAM开发开始以来，其目的一直是生产一种可以像IC一样处理的混合存储器产品。使用商用低功耗SRAM和锂纽扣电池配接CMOS晶圆技术，以及用于长期存储器备用电源的通用电压稳定源。
2023-03-02 14:40
赛普拉斯的NV-SRAM将标准快速SRAM单元（访问时间高达20 ns）与基于硅氧化物和亚硝酸盐，氧化物硅（SONOS）的非易失性存储元件相结合，可提供快速的异步读写访问速度，并在其整个工作范围内具有20年的数据保留。
2024-01-09 10:54
DS1213 SmartSocket产品已达到使用寿命，可使用引脚兼容、等效密度的5V NV SRAM模块产品进行更换。使用该替换模块产品，客户将安装完整的一体式内存解决方案。
2023-01-12 16:11
具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC
2025-02-27 10:10
Xilinx提供超低延时编解码方案，并提供了全套软件。MPSoC Video Codec Unit提供了详细说明。其中的底层应用软件是VCU Control-Software(Ctrl-SW)。本文主要说明为Ctrl-SW增加输出NV12视频的功能。
2022-08-02 11:25
纳微半导体于2022年9月正式发布新一采用GaNSense技术的 NV624x GaNFast半桥功率芯片，作为全新一代产品，其集成了两个GaN FETs 和驱动器，以及控制、电平转换、传感和保护功能 ，其适用于手机移动、消费和工业市场中100-300W应用。
2022-09-09 14:44
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。DS1251Y自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC~是否超出容差范围，一旦超出容差，锂电池便自动切换至供电状态，写保护将无条件使能、以防存储器和实时时钟数据被破坏。
2025-02-27 15:44
