HMC746是一款AND/NAND/OR/NOR门，设计支持高达13 Gbps的数据传输速率和高达13 GHz的时钟频率。 HMC746可轻松配置为提供下列任一种逻辑功能： AND、NAND
2023-07-13 09:25 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
HMC746LC3CTR 特性支持高数据速率： 最高13 Gbps差分与单端操作传播延迟： 95 ps快速上升与下降时间： 22/21 ps可编程差分输出电压摆幅： 600 - 1,100 mV
2024-03-01 18:53 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
的性能和可靠性。其TO220F封装适用于散热要求较高的应用。### 二、详细参数说明- **型号：** 3N90ZG-TF1-T-VB- **封装：** TO220
2024-11-07 16:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介3N60ZG-TF3-T-VB 是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，适用于高压应用场合。它具有较高的击穿电压和可靠性，适用于要求高效能和高稳定性的电源和开关电路
2024-11-07 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号
AD746是一款双通道运算放大器，单芯片上内置两个AD744 BiFET运算放大器。这些精密单芯片运算放大器具有出色的直流特性、快速建立时间、高压摆率和充裕的带宽。此外，AD746还提供共用同一芯片
2023-02-23 09:44 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
HMC746LC3C是一款AND/NAND/OR/NOR门，设计支持高达13 Gbps的数据传输速率和高达13 GHz的时钟频率。 HMC746可轻松配置为提供下列任一种逻辑功能： AND、NAND
2023-11-06 21:44 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 一、产品简介3N65ZG-TF3-T-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。该器件具有650V的漏源电压（VDS）和±30V的栅源电压（VGS），适用于要求高电压的功率管
2024-11-07 16:30 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4N60ZG-TF3-T-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。它采用Plannar技术设计，适用于中高压应用，具有较高的漏源电压和适中的导通电阻，适合要求中等
2024-11-13 15:03 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4N 60ZG-VB MOSFET产品简介4N 60ZG-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装，由VBsemi公司生产。它具有高电压承受能力和适中的电流处理能力，适合于低功率
2024-11-12 14:48 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介：**VBsemi的10N60ZG-TF1-T-VB是一款TO220F封装的单N沟道MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V
2024-07-04 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号
