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型号：<b class='flag-s-7'>NCE60</b>P25K-VB 品牌：微碧

型号： NCE60P25K-VB丝印： VBE2658品牌：VBsemi参数说明：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-60V- 额定电流：-22A- 导通电阻：48mΩ@10V, 57m

2023-12-13 13:59 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>NCE</b>2301 品牌：

新洁能NCE2301型NCE P通道增强模式电源MOS NCE2301型NCE P通道增强模式电源MOSFET采用先进的沟槽技术，具有优良的RDS（ON）性能，以及低栅

2023-10-11 21:22 民信微电子 企业号

型号：43NM<b class='flag-s-7'>60ND</b>-VB 品牌：微碧

电压（VGS）、3.5V 的阈值电压（Vth）、以及 47A 的漏极电流（ID）。43NM60ND-VB 采用 SJ_Multi-EPI 技术，具有高性能和可靠性。

2024-11-08 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>NCE60</b>P25K-VB 品牌：微碧

型号   NCE60P25K-VB丝印   VBE2658品牌  VBsemi参数说明   沟道类型  P沟道 额定电压

2023-11-09 11:55 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>NCE60</b>P04Y-VB 品牌：微碧

**NCE60P04Y-VB**- **丝印：** VB2658- **品牌：** VBsemi- **封装：** SOT23- **参数：** - P—Channel沟道 

2024-02-20 09:41 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：55NM<b class='flag-s-7'>60ND</b>-VB 品牌：微碧

### 55NM60ND-VB 产品简介55NM60ND-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO247 封装，具备高电压承受能力和低导通电阻特性。该器件适用于需要高功率和高效能的应用场

2024-11-14 14:04 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>NCE</b>6050KA 品牌：

特点NCE6050KA采用先进的沟槽技术设计提供具有低栅极电荷的优异RDS（ON）可用于各种各样的应用。 描述●VDS=60V，ID=50ARDS（ON）

2025-02-20 10:41 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号

型号：47NM<b class='flag-s-7'>60ND</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介**型号：47NM60ND-VB**47NM60ND-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用TO247封装。它具有高耐压能力和高电流承载能力，适用于要求高功率和高可靠性的电子

2024-11-11 17:07 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：15NM<b class='flag-s-7'>60ND</b>-VB TO263 品牌：微碧

### 15NM60ND-VB TO263 产品简介：15NM60ND-VB TO263 是一款单通道 N 型 MOSFET，具有高压耐受性和适中的电流承载能力。它适用于一些中功率的电路设计，如电源

2024-07-06 17:41 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：15NM<b class='flag-s-7'>60ND</b>-VB TO247 品牌：微碧

### 15NM60ND-VB TO247 产品简介15NM60ND-VB TO247 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，具有高达 650V 的漏极-源极电压（VDS），30V 的门极-源极电压

2024-07-06 17:39 微碧半导体VBsemi 企业号