型号:STD2NB60T4-VB丝印:VBE165R04品牌:VBsemi参数:- 沟道类型:N沟道- 额定电压:650V- 额定电流:4A- 静态导通电阻(RDS(ON)):2200m
2023-12-21 17:10 微碧半导体VBsemi 企业号
1.概述W971GG6NB是1G位DDR2 SDRAM,组织为8388608个字 8个银行 16位。该设备可实现高达1066Mbps(DDR2-1066)的高速传输速率,适用于各种
2024-03-27 17:31 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
### 产品简介6NB80-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装,适合于中高压应用环境。它具备稳定的电性能和高效的能量转换能力,适用于各种需要可靠开关性能的电力电子系
2024-11-18 16:34 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、5NB90-VB TO220产品简介5NB90-VB TO220是一款高压单N沟道MOSFET,由VBsemi生产,专为需要高电压和高性能的应用而设计。这款MOSFET具备900V的漏源
2024-11-15 15:41 微碧半导体VBsemi 企业号
1.概述W9751G6NB是一个512M位DDR2 SDRAM,组织为8388608个字 4个银行 16位。该设备可实现高达1066Mbps(DDR2-1066)的高速传输速率,适用于各种
2024-03-27 13:55 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号