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2024-11-08 14:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、22DN20N-VB 产品简介22DN20N-VB 是一款单N沟道MOSFET,封装形式为DFN8(3X3),采用了Trench技术,具有中压(200V)和中电流(9.3A)处理能力。该
2024-07-09 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
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2024-07-08 14:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的12DN20N-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术,具有200V的漏极-源极电压(VDS)和20V的栅极-源极电压(VGS)。该器件的漏极-源极导通电
2024-07-05 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、8DN3LL-VB 产品简介8DN3LL-VB 是一款双 N+N 沟道 MOSFET,采用 SOP8 封装。它具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的开关特性,适合于要求高效率和高性能
2024-11-22 15:58 微碧半导体VBsemi 企业号
参数表节选:的技术参数 NCN40+U1+N0General specificationsSwitching functionNormally closed (NC)Output
2022-10-31 13:20 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
参数表节选:的技术参数 NJ30+U1+N通用规格开关功能常闭 (NC)输出类型NAMUR额定工作距离30 mm安装非齐平确保操作距离0 ... 24,3 mm衰减系数 rAl0
2022-08-22 13:45 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
参数表节选:的技术参数 NJ30+U1+N通用规格开关功能常闭 (NC)输出类型NAMUR额定工作距离30 mm安装非齐平确保操作距离0 ... 24,3 mm衰减系数 rAl0
2022-08-19 17:23 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
**详细参数说明:**- 型号:SIS412DN-T1-GE3-VB- 丝印:VBQF1320- 品牌:VBsemi- 封装:DFN8(3X3)- 类型:2个N-Channel沟道- 额定电压
2024-02-20 10:19 微碧半导体VBsemi 企业号