MTD3302详细参数说明 极性 N沟道 额定电压 30V 额定电流 60A 导通电阻 10mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压
2023-10-31 15:03 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi MTD3055VLT4G-VB 产品详细参数说明与应用简介****参数说明:**- **型号:** MTD3055VLT4G-VB- **丝印:** VBE1695- **品牌
2024-01-03 16:16 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品型号:** MTD3055ELT4G-VB**丝印:** VBE1695**品牌:** VBsemi**参数:**- 封装:TO252- 沟道类型:N—Channel- 额定电压:60V-
2024-02-19 17:38 微碧半导体VBsemi 企业号
型号 MTD6P10ET4丝印 VBE2102M品牌 VBsemi参数 频道类型 P沟道 额定电压 100V 额定电流 10A RDS(ON) 188mΩ @ 10V,195m
2023-10-28 15:14 微碧半导体VBsemi 企业号
型号: MTD20N03HDLT4G-VB 丝印: VBE1310 品牌: VBsemi 参数说明:- N沟道- 额定电压:30V- 额定电流:70A- 开通
2023-11-09 16:43 微碧半导体VBsemi 企业号
型号: MTD20N03HDLT4G-VB 丝印: VBE1310 品牌: VBsemi 参数说明:- N沟道- 额定电压:30V- 额定电流:70A- 开通
2023-12-13 14:48 微碧半导体VBsemi 企业号
MTD25N06T4G-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应管,丝印标识为VBE1638。该器件采用TO252封装,具有60V的漏极-源极电压承受能力,45A的漏极电流承受能力,以及RDS(ON)为
2024-06-11 15:38 微碧半导体VBsemi 企业号