### 083N10N-VB 产品简介083N10N-VB 是一款 TO263 封装的单路 N 沟道 MOSFET,具有 100V 的漏极-源极电压(VDS)和 ±20V 的门源极电压(VGS
2024-07-03 17:02 微碧半导体VBsemi 企业号
Dow-Key同轴开关5A1-430803A 型号:5A1-430803A产品系列:5A1 Series产品组态:Available开关组态:SPnT Multiposition输入:
2023-12-14 09:57 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
A25-1可级联A25-1 射频放大器采用分立式混合设计,采用薄膜制造工艺实现精确性能和高可靠性。这种单级双极晶体管反馈放大器设计在宽带频率范围内表现出令人印象深刻的性能。TO-8 和表面贴装封装均采用气密密封,可提供 MIL-STD-883 环境筛选。 
2023-03-15 16:54 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
A1级联放大器A1 射频放大器采用分立式混合设计,采用薄膜制造工艺以实现精确的性能和高可靠性。这种单级双极晶体管反馈放大器设计在宽带频率范围内表现出令人印象深刻的性能。TO-8 和表面贴装封装均采用
2023-03-15 17:28 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
VBsemi的083N03MS-VB是一款SOP8封装的单N沟道MOSFET。它具有30V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS,±V)、1.7V的阈值电压(Vth)、在VGS
2024-07-03 17:01 微碧半导体VBsemi 企业号
A45-1 可级联A45-1 射频放大器采用分立式混合设计,采用薄膜制造工艺实现精确性能和高可靠性。这种单级 GaAs FET 反馈放大器设计在宽带频率范围内显示出令人印象深刻
2023-03-16 13:47 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
A31-1级联放大器A31-1 射频放大器采用分立式混合设计,采用薄膜制造工艺实现精确性能和高可靠性。这种单级双极晶体管反馈放大器设计在宽带频率范围内表现出令人印象深刻的性能。TO-8 和表面贴装
2023-03-15 15:25 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号