该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片中使用的存储单元可用于 1E6 次读/写操作 *1，它的读/写耐久性大大超过 FLASH 和 EEPROM，且不会像FLASH 或 EEPROM 那样需要很长的数据
2023-07-18 17:13 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片中使用的存储单元可用于 1E6 次读/写操作 *1，它的读/写耐久性大大超过 FLASH 和 EEPROM，且不会像FLASH 或 EEPROM 那样需要很长的数据
2023-07-18 17:08 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
参数表节选：的技术参数 MB60-12GM50-E2通用规格开关功能常开 (NO)输出类型PNP额定工作距离60 mm安装齐平安装于非磁性金属中输出极性DC确保操作距离10
2022-09-05 09:47 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
概述MT3608是一个恒定频率、6引脚SOT23电流模式升压转换器，旨在用于小型、低功耗的应用。MT3608的开关频率为1.2MHz，并允许使用2毫米或更低高度的微型、低成本的电容器和电感器。内部
2022-06-01 15:21 深圳市百盛新纪元半导体有限公司 企业号
Anritsu安立MT8000A综合测试仪MT8860B/MT8860C产品型号：MT8000A生产厂商：Anritsu测试模式：信令测试产品介绍:
2024-03-07 10:05 深圳市智达仪器有限公司 企业号
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片中使用的存储单元可用于 1E6 次读/写操作 *1，它的读/写耐久性大大超过 FLASH 和 EEPROM，且不会像FLASH 或 EEPROM 那样需
2023-11-27 16:37 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
能力扩展到任何一个电源。MT0630的温度范围很宽，从-40°C到+85°C。可使用低至1.8V（±0.9V）和高达5.5V（±2.75V）的单电源或双电源。MT
2023-05-10 13:47 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
MT8860C +MN8861AAnritsu MT8860C WLAN 测试仪特征MT8860C 是一款集成的一体化测试仪，专门用于测试 802.11 WLAN 设备。它
2025-08-29 17:58 深圳市国雄电子科技有限公司 企业号
MRF1000MB双极专为 IFF、DME、TACAN、雷达发射机和 CW 系统的低功率级中的 A 类和 AB 类共发射极放大器应用而设计。 特征性能
2022-11-30 21:59 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
