HMC1113LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器，采用无铅5 x 5 mm低应力注塑塑料表贴封装。 该器件提供12 dB的小信号转换增益、1.8 dB的噪声系数和25 dBc
2025-04-01 13:57
HMC967LP4E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件提供15 dB的小信号转换增益、2.5 dB的噪声系数，并在频段范围内提供25
2025-04-02 16:10
，经常会显示D和Q，然而许多人不知道什么意思，还有在LCR测试仪的参数当中有LP与LS之分，也不知道其区别在哪里，下面则对这两个问题进行解答。
2018-11-06 15:50
HMC631LP3和HMC631LP3E均为高动态范围矢量调制器RFIC，可用于RF预失真和前馈消除电路以及RF消除、波束成形和幅度/相位校正电路。 HMC631LP3(E)的I和
2025-04-09 11:22
HMC630LP3和HMC630LP3E均为高动态范围矢量调制器RFIC，可用于RF预失真和前馈消除电路以及RF波束成形和幅度/相位校正电路。 HMC630LP3(E)的I和Q
2025-04-09 11:16
HMC500LP3(E)是一款高动态范围的矢量调制器RFIC，用于RF预失真和前馈消除电路，以及RF消除和波束成形幅度/相位校正电路。 可以使用HMC500LP3(E)的I/Q端口，持续改变RF信号
2025-04-09 10:55
。 HMC7912LP5E采用RF放大器工作，前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。 还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频
2025-03-27 17:21
HMC582LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC582LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构，该VCO的相位噪声性能在不同的温度、冲击和工艺
2025-04-30 11:20
HMC705LP4(E)是一款低噪声GaAs HBT可编程分频器，采用4x4 mm无引脚表贴封装。 该分频器可以通过编程设置为以N = 1到N = 17之间的任意数字进行分频（最高6.5 GHz
2025-04-18 14:14
HMC507LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。HMC507LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频。 由于振荡器的单芯片结构
2025-04-29 18:09
