本报告对德州仪器LMG5200器件进行详细的逆向分析，包括器件设计、封装技术、制造工艺、成本和价格预估等。这是我们第一发现带有驱动器的半桥氮化镓场效应晶体管（GaN FET）设计，并采用先进的多芯片封装技术（PCB带有嵌入式通孔和倒装芯片）
2018-03-05 13:56
最近推出的LMG5200集成式半桥GaN电源模块进行准确测量的最佳实践方法。 在订购LMG5200评估模块（EVM）之前，请确认您的试验台设备可准确测量基于GaN（美国能源部认为是基础性技术，可更好地利用我们的能源资源）的宽带隙（WBG）半导体产品，如
2018-04-26 11:45
LMG5200器件是一个 80V、10A 驱动器和 GaN 半桥功率级，使用增强型氮化镓 （GaN） FET 提供集成功率级解决方案。该器件由两个 80V GaN FET 组成，由一个采用半桥配置
2025-02-26 14:11
该参考设计采用具有电流倍增整流器(current-doubler rectifier)的单级硬开关半桥，这种拓扑结构有效地支持高降压比，同时提供可观的输出电流和可控性，实现了48V向1V的转换，可用作总线处理器、数据通信处理器以及FPGA和ASIC的电源。
2022-04-26 08:33
您可以通过多种方式控制GaN功率级。LMG5200 GaN 半桥功率级的 TI 用户指南使用无源元件和分立逻辑门的组合。在这篇文章中，我将描述如何使用Hercules微控制器驱动它。图 1 显示了用于驱动 LMG5200 的 Hercules 模块。
2023-04-14 10:07
与LMG5200评估模块 (EVM) 一同提供的还有一块驱动GaN集成电路 (IC) 的电路。你需要将其断开，并且连接你的LaunchPad开发套件。
2023-04-14 10:06
Other Parts Discussed in Post: LMG5200当测定氮化镓（GaN）晶体管的皮秒量级上升时间时，即使有1GHz的观察仪器和1GHz的探针仍可能不够。准确测定GaN晶体管
2021-11-24 10:34
当测定氮化镓（GaN）晶体管的皮秒量级上升时间时，即使有1GHz的观察仪器和1GHz的探针仍可能不够。准确测定GaN晶体管的上升和下降时间需要细心留意您的测量设置和设备。让我们初步了解一下使用TI最近推出的LMG5200集成式半桥GaN电源模块进行准确测量的最佳实践方法。
2017-04-18 12:34
Other Parts Discussed in Post: LMG5200, TPS40170作为电源工程师，我们能够回忆起第一次接触到理想化的降压和升压功率级的场景。还记得电压和电流波形是多么
2021-11-10 09:40
可以用很多种方法来控制GaN功率级。针对LMG5200 GaN半桥功率级的TI用户指南使用了一个无源组件和分立式逻辑门的组合。在这篇博文中，我将会讨论到如何用一个Hercules微控制器来驱动它。
2017-04-18 10:27
