LMG1210 是一款 200V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效应晶体管 （GaN FET） 驱动器，专为要求超高频率、高效率的 应用 而开发， 具有 可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及 3.4ns 高侧/低侧匹配，以优化系统效率。
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2018-11-02 18:00
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2024-09-19 11:14
当我向 lmg1210 的 Hi 和 Li 发送 50% 的值周期、500KHz 互补脉冲信号，并将 epc8010 芯片添加到后端时，连续脉冲波形将输出并闪烁。如何解决这个问题这个是视频链接
2021-08-03 15:10
LMG1210 200-V, 1.5-A, 3-A Half-Bridge GaN Driver With Adjustable Dead Time datasheet
2022-11-04 17:22
TI LMG1210是一款50 MHz半桥驱动器，经过特别设计，能与电压高达200V的增强模式GaN FET搭配使用。
2019-09-29 15:47
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2024-10-14 10:13
LMG1210 是一款 200V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效应晶体管 （GaN FET） 驱动器，专为超高频、高效率应用而设计，具有可调死区时间能力、非常小的传播延迟和 3.4ns 高侧低侧匹配，可优化系统效率。该器件还具有一个内部 LDO，无论电源电压如何，都能确保 5V 的栅极驱动电压。
2025-05-24 15:53
的 LMG1210（对于 GaN 电源），以提供 0.8V 的电压和 10A 的电流。该设计将硅功率级与 GaN 功率级进行比较，以说明在使用 GaN 进行设计时的设计折衷和必要的优化。主要特色PMBus 可编程
2019-01-02 16:17
