### 一、产品简介AUIRLR3915TRL-VB 是一款高效能的单N沟道MOSFET，封装在TO252中，采用Trench技术。该器件具有60V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS
2025-01-06 15:29 微碧半导体VBsemi 企业号
### AUIRLR3915-VB 产品简介AUIRLR3915-VB是一款高性能单N沟道功率MOSFET，采用TO252封装，专为高功率和高效能应用设计。该MOSFET采用Trench技术，提供
2025-01-06 15:47 微碧半导体VBsemi 企业号
### AUIRLR3915TRPBF-VB MOSFET产品简介AUIRLR3915TRPBF-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，封装形式为TO252。它采用先进的Trench技术，设计用于高
2025-01-06 15:44 微碧半导体VBsemi 企业号
可调谐DFB窄线宽半导体激光器LM可调谐DFB窄线宽半导体激光器LM是一款无故障激光模块，将DFB半导体激光二极管，低噪声电流源和温度控制器组合在一起，成为一个封装。LM的紧凑尺寸不会牺牲功率-
2023-03-21 14:14 上海屹持光电技术有限公司 企业号
### 一、产品简介**型号：2SK3915-01MR-VB**2SK3915-01MR-VB 是一款高压 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO220F 封装。具有优异的开关特性和稳定性，适用于
2024-10-31 16:39 微碧半导体VBsemi 企业号
特点 LM339B 和 LM2901B 器件是业界通用 LM339 和 LM2901 比较器系列的下一代版本。下一代 B 版本比 较器具有更低的失调电压、更高
2025-02-14 11:41 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
**产品简介**AULR3915-VB是一款高性能的单N通道场效应晶体管（MOSFET），采用TO-252封装，具有出色的开关性能和低导通电阻。此器件设计用于高效电源管理和负载驱动应用，能够在高电压
2025-01-07 10:31 微碧半导体VBsemi 企业号
LM4050/LM4051是精密的二端、并联模式、带隙电压基准，具有多种固定反向击穿电压：1.225V、2.048V、2.500V、3.000V、3.3V、4.096V和5.000V。LM
2023-06-27 14:05 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
LM97937EVM 开发板详解在现代电子设计中，模数转换器（ADC）和信号处理器是实现高性能信号采集的关键组件。Texas Instruments（TI）推出的 LM97937EVM 开发板是一款
2024-10-12 11:26 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
特点LM358B 和 LM2904B 器件是行业标准运算放大器 LM358 和 LM2904 的下一代版本，其中包括两个高压 ( 36V ) 运算放大器。这些器件为成本
2024-05-07 15:35 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
