1.概述W9725G6KB是一个256M位DDR2 SDRAM,组织为4194304个字 4个银行 16位。该器件实现了高达1066Mb/sec/pin(DDR2-1066)的高速传输速率
2024-03-28 10:53 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W631GG6KB是一个1G位DDR3 SDRAM,组织为8388608个字 8个银行 16位。该器件实现了高达1866 Mb/sec/引脚(DDR3-1866)的高速传输速率,适用于
2024-03-28 14:53 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.简介原边主芯片 FT8395KB2 是一款高度集成的原边反馈控制芯片,包含了许多功能,这些功能有效地提高了小功率反激变换器性能。原边反馈的拓扑结构简化了电路设计,降低了物料成本。通过
2025-04-21 11:28 FMD 辉芒微一级代理 企业号
### 产品简介**2N7002KB-VB**是一款单N沟道MOSFET,由VBsemi生产,采用SOT23-3封装。这款MOSFET具有60V的漏源电压(VDS)和20V(±)的栅源电压(VGS
2024-07-11 17:12 微碧半导体VBsemi 企业号
1.简介原边主芯片 FT8395xx 是一款高度集成的原边反馈控制芯片,包含了许多功能,这些功能有效地提高了小功率反激变换器性能。原边反馈的拓扑结构简化了电路设计,降低了物料成本。通过芯片内部的抖频技术,使得EMI 处理更加简单。所以,与传统线性变压器设计电路比较,成品体积小,重量轻。这款原边反馈控制芯片工作在脉冲频率调制(PF
2023-02-21 11:33 FMD 辉芒微一级代理 企业号