SMMD840-SOD323硅阶跃恢复二极管这些二极管具有完全钝化的真正台面结构,可实现急剧转变并提高稳定性。光束超前 SRD 具有业界最快的毫米波倍增和皮秒脉冲形成转换时间。 硅
2023-02-22 16:44 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
### 一、840H-VB TO220 产品简介840H-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用Plannar技术制造,封装形式为TO220。具有500V的耐压能力和适中的导通电阻特性,适合于中功率
2024-11-21 16:09 微碧半导体VBsemi 企业号
MMD840-T86硅阶跃恢复二极管这些二极管具有完全钝化的真正台面结构,可实现急剧转变并提高稳定性。光束超前 SRD 具有业界最快的毫米波倍增和皮秒脉冲形成转换时间。 硅阶跃恢复二极管
2023-02-22 17:18 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
SMMD840-SOT23-0S硅阶跃恢复二极管这些二极管具有完全钝化的真正台面结构,可实现急剧转变并提高稳定性。光束超前 SRD 具有业界最快的毫米波倍增和皮秒脉冲形成转换时间。 硅
2023-02-22 16:42 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
### 840S-VB MOSFET 产品简介840S-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装,适用于需要高电压承载和稳定开关特性的电子设备应用。该器件具有较高的漏源电压承受能力和适中
2024-11-21 16:14 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、840H-VB 产品简介840H-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的单 N 沟道 MOSFET,采用 TO263 封装。它具有高电压承受能力和适中的导通电阻,在中等电压
2024-11-21 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号
SMMD840-SOT23-1S硅阶跃恢复二极管这些二极管具有完全钝化的真正台面结构,可实现急剧转变并提高稳定性。光束超前 SRD 具有业界最快的毫米波倍增和皮秒脉冲形成转换时间。 硅
2023-02-22 16:40 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
### 840S-VB TO263 MOSFET 产品简介840S-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,封装为 TO263,适用于中高压功率开关应用。该器件在
2024-11-21 16:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介VBsemi 840S-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO220封装,适用于高电压和中等电流的电源管理和开关电路应用。具有500V的最大漏源电压和适中的导通电阻,适合
2024-11-21 16:13 微碧半导体VBsemi 企业号