特点ISL80102和ISL80103分别是低电压、高电流、高电压和高电压，为2A和3A输出电流指定的单输出LDO，分别地这些LDO根据的输入电压进行操作2.2V至6V，并且能够提供的输出电压为在
2024-05-07 13:39 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
ISL15100是为电力线通信（PLC）应用开发的单端口差分线路驱动器。该设备设计用于驱动重线路负载，同时保持OFDM PLC调制解调器链路所需的高线性度。总发射信号功率为15.5dBm 在高达
2022-11-10 15:39 深圳市泰凌微电子有限公司 企业号
### ISL9N316AD3ST-VB MOSFET 产品简介ISL9N316AD3ST-VB 是一款高效能单 N 沟道 MOSFET，采用 TO-252 封装，专为中高功率开关应用设计。该器件
2025-09-26 17:32 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：ISL9N308AD3-VB丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数说明：- 极性：N沟道- 额定电压：30V- 最大连续漏极电流：60A- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：10m
2023-12-14 15:26 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介（ISL9N318AD3ST-VB）ISL9N318AD3ST-VB 是一款高性能的N型功率MOSFET，采用TO-252封装，专为中低电压高电流应用设计。该器件能够承受高达30V
2025-09-26 17:35 微碧半导体VBsemi 企业号
### ISL9N306AD3S-VB MOSFET 产品简介ISL9N306AD3S-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET，采用 TO-252 封装，专为高效功率开关应用设计。其具有
2025-09-26 17:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### ISL9N2357D3ST-VB 产品简介ISL9N2357D3ST-VB 是一款高效能的单极N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为要求较低电压和高电流的应用设计。这款MOSFET的漏
2025-09-26 17:20 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：ISL9N308AD3ST-VB丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：N沟道- 额定电压：30V- 最大持续电流：60A- 静态导通电阻 (RDS(ON))：10m
2023-12-21 16:28 微碧半导体VBsemi 企业号
**ISL9N327AD3ST-VB 产品简介**ISL9N327AD3ST-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO-252封装，具备30V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS
2025-09-26 17:37 微碧半导体VBsemi 企业号
