型号:ISL9N308AD3ST-VB丝印:VBE1307品牌:VBsemi参数:- 沟道类型:N沟道- 额定电压:30V- 最大持续电流:60A- 静态导通电阻 (RDS(ON)):10m
2023-12-21 16:28 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:ISL9N308AD3-VB丝印:VBE1307品牌:VBsemi参数说明:- 极性:N沟道- 额定电压:30V- 最大连续漏极电流:60A- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):10m
2023-12-14 15:26 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介43MEM8205M6G-VB 是一款双N+N沟道MOSFET,采用SOT23-6封装,适用于各种低功率转换和开关应用。具有低导通电阻和适中的电流处理能力,能够提供可靠的性能
2024-11-08 14:33 微碧半导体VBsemi 企业号
特点ISL80102和ISL80103分别是低电压、高电流、高电压和高电压,为2A和3A输出电流指定的单输出LDO,分别地这些LDO根据的输入电压进行操作2.2V至6V,并且能够提供的输出电压为在
2024-05-07 13:39 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
ISL15100是为电力线通信(PLC)应用开发的单端口差分线路驱动器。该设备设计用于驱动重线路负载,同时保持OFDM PLC调制解调器链路所需的高线性度。总发射信号功率为15.5dBm 在高达
2022-11-10 15:39 深圳市泰凌微电子有限公司 企业号
HMC8205BF10HMC8205BF10是一款氮化镓(GaN)宽带功率放大器,在瞬时带宽范围为0.3 GHz至6 GHz时提供45.5 dBm (35 W)功率和38%功率附加效率(PAE
2024-02-27 19:11 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
HMC8205BF10是一款氮化镓(GaN)宽带功率放大器,在瞬时带宽范围为0.3 GHz至6 GHz时提供45.5 dBm (35 W)功率和38%功率附加效率(PAE)。无需外部匹配便可实现
2022-12-28 11:52 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号