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        • SRAM中的功耗来源

          ，VDD是外部供电电压，IDD是总电流，iact是选中单元的有效电流，ihld是未选中单元的漏电流，CDE是译码器每个输出节点的电容，VINT是内部工作电压，CPT是CMOS控制逻辑和外围驱动电路的总电容

          2020-05-18 17:37

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