Power 半导体装置 - MOSFETs, IGBTs
2023-08-14 17:27
绝缘栅双极晶体管(IGBTs)简史
2023-11-24 14:45
绝缘栅双极性晶体管（IGBT）面市已有些时日，事实上，通用电气（GE）早在1983年6月就发布了其首款IGBT产品。从那时起，IGBT成为了中压和高压（>200 V ）应用的主要器件，包括供暖通风与空气调节（HVAC）系统以及电焊和感应加热等高电流应用。随着太阳能面板、电动汽车充电器和工业伺服电机的日益普及，市场对高压解决方案的需求也在不断攀升。为了满足各个行业的需求，并进一步完善持续扩大的高压技术产品组合（GaN和SiC），Nexperia （安世半导体）正在推出多个 IGBT系列，首先便是600 V 器件。
2023-07-20 10:37
近几十年引擎和变速控制领域发展非常迅速，在高性能引擎中，不仅平稳停机、低噪声、低震动很重要，而且降低燃料消耗和减少排放的要求也要满足。 第一代电子控
2010-07-13 11:53
在分立式封装中，650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可输出高达150A的电流。该产品系列电流等级为40A至150A，有四种不同封装类型：TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。
2023-11-10 15:36
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管，先进的发射器控制设计结合高速技术，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损耗，提高效率和功率密度。因此，该半导体器件适合用于各种应用，如组串式逆变器、储能系统（ESS）、电动汽车充电应用
2023-11-03 11:40
EiceDRIVERCompact单通道隔离型栅极驱动器，具备5.5 A典型灌电流和拉电流峰值输出，采用DSO-8宽体封装，爬电距离大（>8 mm），适用于IGBTs、MOSFETs和SiC MOSFETs。
2022-11-02 16:48
开关电源芯片U5402是一款650V耐压的半桥栅极驱动器，具有0.3A拉电流和1A灌电流能力，专用于驱动功率MOSFETs或IGBTs。
2024-04-18 17:13
车规级IC可以分为功能类别，如控制/计算芯片（MCU、CPU、FPGAs、ASICs、AI芯片等。）、功率半导体（IGBTs和MOSFETs）、传感器（CIS、加速度传感器等。）、无线通信和汽车接口芯片以及汽车存储器。
2023-11-23 15:57
KP85402 开关节点耐压为 650V，输出峰值拉电流和灌电流能力分别为 300mA 和 1000mA，专用于驱动功率 MOSFETs 或 IGBTs。KP85402 在开关节点 VS 瞬态 -60V(100ns) 情况下可保证系统正常工作，可支持 100V/ns 的 dv/dt 变化。
2024-01-06 11:09
