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Power 半导体装置 - MOSFETs, IGBTs

2023-08-14 17:27

绝缘栅双极晶体管(IGBTs)简史

2023-11-24 14:45

绝缘栅双极性晶体管（IGBT）面市已有些时日，事实上，通用电气（GE）早在1983年6月就发布了其首款IGBT产品。从那时起，IGBT成为了中压和高压（>200 V ）应用的主要器件，包括供暖通风与空气调节（HVAC）系统以及电焊和感应加热等高电流应用。随着太阳能面板、电动汽车充电器和工业伺服电机的日益普及，市场对高压解决方案的需求也在不断攀升。为了满足各个行业的需求，并进一步完善持续扩大的高压技术产品组合（GaN和SiC），Nexperia （安世半导体）正在推出多个 IGBT系列，首先便是600 V 器件。

2023-07-20 10:37

近几十年引擎和变速控制领域发展非常迅速，在高性能引擎中，不仅平稳停机、低噪声、低震动很重要，而且降低燃料消耗和减少排放的要求也要满足。 　　第一代电子控

2010-07-13 11:53

在分立式封装中，650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可输出高达150A的电流。该产品系列电流等级为40A至150A，有四种不同封装类型：TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。

2023-11-10 15:36

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管，先进的发射器控制设计结合高速技术，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损耗，提高效率和功率密度。因此，该半导体器件适合用于各种应用，如组串式逆变器、储能系统（ESS）、电动汽车充电应用

2023-11-03 11:40

The IXDD609/IXDI609/IXDN609 high-speed gate drivers are especially well suited for driving the latest IXYS MOSFETs and IGBTs.

2017-09-11 11:28

singlechip high and low-side gate driver for N-channel power MOSFETs or IGBTs.

2017-09-25 10:20

The IXDD604/IXDF604/IXDI604/IXDN604 dual high-speed gate drivers are especially well suited for driving the latest IXYS MOSFETs and IGBTs.

2017-09-11 11:45

The IXDD614 / IXDI614 / IXDN614 high-speed gate drivers are especially well suited for driving the latest IXYS MOSFETs and IGBTs.

2017-09-11 12:12