采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数（k）栅介质薄膜。电特性测量表明，HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数，减小了等效氧化物
2021-03-29 10:24
贴片铝电解电容 AEC_D25X40MM_TM
2023-03-28 14:44
。本文提出了一种用Xilinx公司的FPGA芯片实现异步HFO的设计方案，重点强调了设计有效、可靠的握手信号EMPTY与FULL的方法，并给出了其VERILOG语言实现的仿真图。
2021-01-15 15:27
