根据 dasp.in 中的参数intrinsic = T，DEC模块将产生HfO2的本征缺陷，即生成HfO2/dec/Intrinsic_Defect计算目录，在其下面分别有空位缺陷V_Hf，V_O，反位缺陷Hf_O，O_Hf，间隙位缺陷Hf_i
2023-04-18 10:58
Nanodcal是一款基于非平衡态格林函数-密度泛函理论（NEGF - DFT）的第一性原理计算软件，主要用于模拟器件材料中的非线性、非平衡的量子输运过程，是目前国内拥有自主知识产权的基于第一性原理的输运软件。可预测材料的电流 - 电压特性、电子透射几率等众多输运性质。
2022-09-20 10:13
贴片铝电解电容 AEC_D25X40MM_TM
2023-03-28 14:44
DDC模块首先将根据DEC模块的输出结果判断哪些缺陷已经计算完毕，并将这些所有的缺陷全部考虑进DDC的计算。随后自动搜寻各缺陷输出的形成能、转变能级、简并因子等信息。将所有的数据汇总，写入 DefectParams.txt 文件中。
2023-04-24 15:09
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，即栅源电压VG控制漏极电流ID。
2022-09-09 15:12
了最新的时钟程序，我看不到CY2546的支持。谢谢，HFO 以上来自于百度翻译 以下为原文Hi, What SW tool and Programing kit should be used
2019-07-25 14:13
高k介质（如 HfO2、HfSiOx、HfSiON)和金属栅(如TiN、TiAl、Al 或W等）模块便成为 32nm/28nmn 和更先进节点上的标准配备
2023-01-11 09:53
然而，将高迁移率二维半导体与高介电常数的栅介质有效集成并极限微缩是电子学领域的一个重要挑战。目前，商用硅基集成电路中所用的栅介质为原子层沉积法（ALD）制备的氧化铪（HfO2）
2022-09-26 10:04
当前的铁电隧道结都是基于两类铁电材料，钙钛矿型铁电体（如BaTiO3和PbZr0.2Ti0.8O3）和氧化物型铁电体（如HfO2和Hf0.5Zr0.5O2）。这两类铁电材料用于铁电隧道结各有优缺点
2020-08-19 17:55
器件沟道长度为1μm，HFO2栅介质厚度为4.88nm；SiO2栅介质厚度为2nm；P衬底掺杂浓度4E15cm^-3；栅电极为铝金属。
2023-07-05 16:45
