### 一、产品简介VBsemi的2604GY-VB是一款N沟道MOSFET,适用于各种低压、中压和高压应用。它具有30V的耐压能力和6A的电流承受能力,内部电阻(RDS(ON))为30
2024-05-20 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi 2602GY-VB是一款N沟道MOSFET功率场效应管,具有30V的额定电压和6A的额定电流。其低导通电阻(RDS(ON))和低阈值电压(Vth)使其在各种应用中表
2024-05-20 16:00 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、2623GY-VB产品简介2623GY-VB是VBsemi公司推出的一款双P+P沟道MOSFET,采用Trench技术,适用于低电压和低功率的应用。该器件具有低导通电阻和高可靠性,适用于
2024-07-10 17:47 微碧半导体VBsemi 企业号
产品简介:AP2606GY-VB是VBsemi品牌的N—Channel沟道场效应晶体管,具有30V的耐压能力和6A的电流承受能力。其关键参数包括RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS
2024-05-27 17:18 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**型号:2605GY-VB**VBsemi的2605GY-VB是一款高性能的单P沟道MOSFET,采用了Trench技术制造。它具有-30V的漏源电压、-4.8A的漏极电流承载
2024-07-10 17:23 微碧半导体VBsemi 企业号
### 2603GY-VB SOT23-6 产品简介2603GY-VB 是一款高性能的单P沟道MOSFET,采用了沟槽技术制造,具有低导通电阻和高电流处理能力。封装为SOT23-6,适用于小型
2024-07-10 17:19 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、2607GY-VB 产品简介2607GY-VB 是一款单P沟道MOSFET,封装形式为SOT23-6,采用了Trench技术,具有较低的漏源极电压(-30V)和适中的电流(-4.8A
2024-07-10 17:25 微碧半导体VBsemi 企业号
产品简介:AP2606GY-HF-VB是VBsemi品牌的一款N-Channel沟道场效应管,采用SOT23-6封装。它能够在30V电压下工作,并具有6A的电流输出能力。其导通电阻在10V时为30
2024-05-27 17:13 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:AP2615GY-HF-VB丝印:VB8338品牌:VBsemi参数:- 封装:SOT23-6- 沟道类型:P—Channel- 最大耐压:-30V- 最大电流:-4.8A- 开态电阻:RDS
2024-02-02 17:24 微碧半导体VBsemi 企业号