型号:FQPF85N06-VB丝印:VBMB1615品牌:VBsemi参数说明:- 极性:N沟道- 额定电压:60V- 最大连续漏极电流:70A- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):10m
2023-12-14 17:31 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:FQPF30N06L-VB**丝印:** VBMB1638**品牌:** VBsemi**参数:**- 类型:N沟道- 额定电压(Vds):60V- 最大电流(Id):45A- 静态漏极-源极
2023-12-19 11:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### 60N32N3LL-VB MOSFET 产品简介60N32N3LL-VB是一款半桥N+N沟道功率MOSFET,采用DFN8(5X6)-
2024-11-15 17:29 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:FQPF27P06-VB丝印:VBMB2658品牌:VBsemi参数:- 沟道类型:P沟道- 额定电压:-60V- 额定电流:-30A- 静态导通电阻(RDS(ON)):58mΩ @ 10V
2023-12-21 17:23 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、8N60-VB 产品简介8N60-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装。它具有高达650V的漏源极电压承受能力,适用于各种要求高电压和高效能的功率开关和电源
2024-11-22 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
型号: FQD2N60C-VB丝印: VBE165R02品牌: VBsemi参数:- N沟道- 额定电压:650V- 最大电流:2A- 开通电阻:4300mΩ @ 10V, 3440m
2023-12-19 15:34 微碧半导体VBsemi 企业号
### 20N60C2-VB TO247 产品简介20N60C2-VB TO247 是一款高性能的单N沟道MOSFET,具有高漏极电压和电流处理能力。采用了SJ_Multi-EPI 技术制造,具有低
2024-07-09 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、8N60-VB 产品简介8N60-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI技术,封装为TO251。它具有650V的耐压能力和7A的最大连续漏极电流(ID),适合于
2024-11-22 16:23 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介 – KF8N60F-VBKF8N60F-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压和高电流应用而设计。该器件具备 650V 的漏极-源极电压
2025-09-15 13:48 微碧半导体VBsemi 企业号