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型号：<b class='flag-s-7'>FQPF85N</b>06-VB 品牌：微碧

型号：FQPF85N06-VB丝印：VBMB1615品牌：VBsemi参数说明：- 极性：N沟道- 额定电压：60V- 最大连续漏极电流：70A- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：10m

2023-12-14 17:31 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>FQPF30N</b>06L-VB 品牌：微碧

型号：FQPF30N06L-VB**丝印：** VBMB1638**品牌：** VBsemi**参数：**- 类型：N沟道- 额定电压（Vds）：60V- 最大电流（Id）：45A- 静态漏极-源极

2023-12-19 11:07 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：WFF<b class='flag-s-7'>5N60C</b>-VB 品牌：微碧

1. **产品简介**  WFF5N60C-VB是一款采用TO220F封装的单N通道MOSFET，专为中等功率和高耐压应用设计。它具有650V的漏源电压（VDS）和最大漏极电流（ID）为

2025-09-22 17:04 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>60N32N</b>3LL-VB 品牌：微碧

### 60N32N3LL-VB MOSFET 产品简介60N32N3LL-VB是一款半桥N+N沟道功率MOSFET，采用DFN8(5X6)-

2024-11-15 17:29 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>FQPF</b>27P06-VB 品牌：微碧

型号：FQPF27P06-VB丝印：VBMB2658品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-60V- 额定电流：-30A- 静态导通电阻（RDS(ON)）：58mΩ @ 10V

2023-12-21 17:23 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：FQD2<b class='flag-s-7'>N60C</b>-VB 品牌：微碧

型号: FQD2N60C-VB丝印: VBE165R02品牌: VBsemi参数:- N沟道- 额定电压：650V- 最大电流：2A- 开通电阻：4300mΩ @ 10V, 3440m

2023-12-19 15:34 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>5N60</b>-VB 品牌：微碧

### 5N60-VB MOSFET 产品简介5N60-VB是一款由VBsemi制造的单N沟道功率MOSFET，采用TO-220F封装。其设计使其能够在高电压、高电流应用中表现出色，具有极佳的导通性

2024-11-14 16:10 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：20<b class='flag-s-7'>N60C</b>2-VB 品牌：微碧

### 20N60C2-VB TO247 产品简介20N60C2-VB TO247 是一款高性能的单N沟道MOSFET，具有高漏极电压和电流处理能力。采用了SJ_Multi-EPI 技术制造，具有低

2024-07-09 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SW<b class='flag-s-7'>5N60</b>D-VB 品牌：微碧

### 1. **SW5N60D-VB 产品简介**SW5N60D-VB 是一款 **650V** 耐压的 N-Channel MOSFET，采用 **TO220F** 封装，专为高电压应用设计。该

2025-09-19 13:57 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>FQPF4N</b>90CT 品牌：安森美

）900V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4A（Tc）不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）5V @ 250µAVgs（最大值）±30V功率耗散（最大值）47W

2022-09-02 13:11 卓景佳鸿科技 企业号