MGV075-08H20MACOM 的 MGV075-08H20 是电容为 0.18 pF、电容比为 0.4 至 1.7、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子为 4000
2023-04-10 15:35 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
MGV100-08H20MACOM 的 MGV100-08H20 是电容为 0.18 pF、电容比为 0.8 至 2.8、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子为 4000
2023-04-06 17:45 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
MGV125-08H20MACOM 的 MGV125-08H20 是电容为 0.18 pF、电容比为 0.7 至 4.1、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子为 4000
2023-04-03 14:30 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
MX25L25673GM2I-08G 产品概述MX25L25673GM2I-08G 是由 Macronix 生产的一款高性能 NOR Flash 存储器,具有 256Mb(32MB
2024-11-10 22:10 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
MACOM 的 MGV125-08H20 是电容为 0.18 pF、电容比为 0.7 至 4.1、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子为 4000 的变容二极管。标签:含铅
2022-09-19 10:25 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
Ω@10V, 26mΩ@4.5V, 20Vgs(±V)- 阈值电压(Vth):-2V- 封装类型:TO252应用简介:SUD50P08-25L-E3-VB是一种P沟道MO
2023-12-22 11:36 微碧半导体VBsemi 企业号
) 72mΩ(在4.5V下)- 门源极电压:20V(正负)- 阈值电压:-1.3V- 封装类型:TO252应用简介:这款VBsemi品牌的SUD08P06-155L
2023-12-13 14:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4N06L08-VB TO263 MOSFET 产品简介4N06L08-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO263 封装。它具有优秀的电气特性
2024-11-13 14:41 微碧半导体VBsemi 企业号