型号 15N10 TO251丝印 VBFB1101M品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 100V 最大电流 15A 导通电阻 115mΩ @10
2023-11-01 13:45 微碧半导体VBsemi 企业号
### 15P10GS-VB MOSFET 产品简介VBsemi 15P10GS-VB 是一款单P沟道MOSFET,采用Trench技术制造,具有负向漏源电压能力和低导通电阻。该器件封装为TO263
2024-07-06 17:46 微碧半导体VBsemi 企业号
### 15P10-VB 产品简介15P10-VB 是一款单通道 P 沟道 MOSFET,具有 -100V 的漏极-源极电压(VDS),20V 的门极-源极电压(VGS,±V),以及 -2V 的门极
2024-07-06 17:52 微碧半导体VBsemi 企业号
BLP15H9S10GBLP15H9S10G 功率LDMOS晶体管适用于广播和工业应用的 10 W LDMOS 驱动器晶体管。该器件出色的耐用性使其非常适合 HF 至 2 GHz 频率
2024-02-29 20:23 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 15P10GP-VB 产品简介**产品简介**:15P10GP-VB是一款高性能的单P沟道功率MOSFET,采用TO220封装。该器件设计用于负压开关和控制应用,具有优秀的电流处理能力和低导
2024-07-06 17:45 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:ME15N10-VB丝印:VBE1101M品牌:VBsemi参数:- 沟道类型:N沟道- 额定电压:100V- 额定电流:18A- 开通电阻(RDS(ON)):115mΩ @ 10
2023-12-19 11:01 微碧半导体VBsemi 企业号