### 4N 60ZG-VB MOSFET产品简介4N 60ZG-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装,由VBsemi公司生产。它具有高电压承受能力和适中的电流处理能力,适合于低功率
2024-11-12 14:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**3N90ZG-TF1-T-VB** 是一款单N沟道MOSFET,具有高电压和中等功率特性。采用平面技术制造,适用于中等功率应用场合。该器件适用于各种开关和放大应用,具有良好
2024-11-07 16:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介3N60ZG-TF3-T-VB 是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,适用于高压应用场合。它具有较高的击穿电压和可靠性,适用于要求高效能和高稳定性的电源和开关电路
2024-11-07 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介3N65ZG-TF3-T-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO220F封装。该器件具有650V的漏源电压(VDS)和±30V的栅源电压(VGS),适用于要求高电压的功率管
2024-11-07 16:30 微碧半导体VBsemi 企业号
### 12N06ZG-TN3-R-VB 产品简介**产品概述**:12N06ZG-TN3-R-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET,采用Trench技术制造,具有低导通电阻和高电流承受能力
2024-07-05 16:28 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介:**VBsemi的10N60ZG-TF1-T-VB是一款TO220F封装的单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS,±V),3.5V
2024-07-04 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4N60ZG-TF3-T-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO220F封装。它采用Plannar技术设计,适用于中高压应用,具有较高的漏源电压和适中的导通电阻,适合要求中等
2024-11-13 15:03 微碧半导体VBsemi 企业号
PUB-14-500M20G-14-LCA PMI 型号 PUB-14-500M20G-14-LCA 是一款 500 MHz 至 20.0 GHz 低噪声放大器
2024-10-16 15:58 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
PUB-14-30M20G-14-LCA 低噪声放大器Quantic PMI 型号 PUB-14-30M20G-14-LCA 是一款 30
2024-10-16 17:23 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号