NK2302E-VB 参数:- 丝印:VB1240- 品牌:VBsemi- 封装:SOT23- 类型:N—Channel沟道- 额定电压:20V- 额定电流:6A- 开态电阻(RDS
2024-04-02 14:46 微碧半导体VBsemi 企业号
参数表节选:的技术参数 NCB1,5-18GM60-E2-D通用规格开关功能常开 (NO)输出类型PNP额定工作距离1,5 mm安装齐平输出极性DC确保操作距离0 ... 1,22 mm
2022-08-24 14:07 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
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2023-03-21 08:27 深圳市智达仪器有限公司 企业号
### 产品简介18NM80-VB是一款单路N沟道场效应管(MOSFET),采用SJ_Multi-EPI技术,具有高达800V的漏极-源极电压(VDS)和20A的漏极电流(ID)能力。该器件采用
2024-07-08 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比,DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器,分成8字节大小的存储块,每个存储块可具有写保护
2023-07-13 11:31 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
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2023-03-20 16:04 深圳市智达仪器有限公司 企业号
Keysight E8267D (Agilent) 矢量信号发生器的特性和规格包括:250 kHz 至 20、31.8 或 44 GHz(0.001 Hz 分辨率)+22 dBm @ 20 GHz
2024-04-02 09:06 深圳市捷威信电子仪器有限公司 企业号