为庆祝河北工业大学校庆120周年，《红外与激光工程》联合河北工业大学共同出版“河北工业大学校庆专刊“，特邀请张紫辉教授团队撰写“AlGaN基深紫外微型发光二极管的研究进展” 文章，总结了深紫外μLED作为日盲紫外光通信光源的研究现状和综合分析尺寸效应引起器件性能的变化及其机理，分析出低的光提取效率和严重的自热效应是影响深紫外μLED光功率的两个主要因素。进而综述了各种提高深紫外μLED光提取效率和改善热学特性的方法。 导读 实
2023-09-05 11:16
硅衬底GaN材料在中低功率的高频HEMT和LED专业照明领域已经实现规模商用。基于硅衬底GaN材料的Micro LED微显技术和低功率PA正在进行工程化开发。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架构尚处于早期研究阶段。
2023-10-13 16:02
UVM register layer classes用于为DUV中的memory-mapped寄存器和内存的read/write操作创建一个 high-level 和 object-oriented
2023-06-23 21:30
DPT Double Patterning Technology。double pattern就是先进工艺下底层金属/poly加工制造的一种技术，先进工艺下，如果用DUV，光的波长已经无法直接刻出
2023-12-01 10:20
）、抗腐蚀性和热稳定性，使其成为芯片制造中的关键材料。此外，TiN在紫外至深紫外波段（UV-DUV）具有高吸收系数（约10^5 cm⁻¹），远高于SiO₂或Al₂O₃等材料，这一特性使其在光刻工艺中发挥重要作用。
2025-03-18 16:14
追求更小的 DRAM 单元尺寸（cell size)仍然很活跃并且正在进行中。对于 D12 节点，DRAM 单元尺寸预计接近 0.0013 um²。无论考虑使用 DUV 还是 EUV 光刻，图案化
2023-02-07 15:08
DUV***和EUV***。DUV是Deep Ultra Violet，即深紫外光；EUV是Extreme Ultra Violet，即极紫外光。DUV***的极限工艺节点是28nm，要想开发更先进的制程，就只能使用
2019-07-13 09:40
的汞灯紫外光波段进入到深紫外波段（DUV），如用于0.25微米技术的分子激光（波长为248纳米）和用于0.18微米技术的准分子激光(波长为193纳米)。 除此之外，根据光的干涉特性
2019-01-02 16:32
