and overcurrent protection by VDS sensing with response time less than 1µs器件型号名称产品系列设计套件与评估模块CSD88599Q5DC
2018-09-11 17:27
CSD43301Q5M NexFET 智能同步整流器是一款 高度优化的设计，用于在高功率高密度 DC/DC 中进行二次同步整流 转炉。该产品集成了驱动IC和超低R~上~权力 MOSFET完成同步整流功能。此外，PCB
2025-08-07 18:11
CSD88584Q5DC 40V 电源块是针对大电流电机控制应用（如手持式、无绳花园和电动工具）的优化设计。该器件采用 TI 的专利堆叠芯片技术，以最大限度地减少寄生电感，同时在节省空间的热增强型
2025-04-16 09:49
Texas Instruments CSD16321Q5 N沟道NexFET功率MOSFET是25V 1.9mΩ 5mm × 6mm SON NexFET™功率MOSFET，设计用于最小化功率转换损失，优化用于5V栅
2025-09-22 15:43
这款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件：CSD18513Q5A 40V N 沟道 NexFET
2025-04-16 10:54
这款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件：CSD18512Q5B 40 V N 沟道 NexFET
2025-04-16 10:20
CSD96371Q5M NexFET 功率级采用优化设计，可用于高功率高密度同步降压转换器。该产品集成了栅极驱动器IC和功率MOSFET，以完成功率级开关功能。这种组合在小型 5 mm × 6 mm
2025-08-08 09:11
CSD96370Q5M NexFET 功率级经过优化设计，适用于高功率、高密度 同步降压转换器。该产品集成了增强型栅极驱动器IC和电源模块技术，以完成功率级开关功能。这种组合可产生高电流、高效率
2025-08-08 09:48
CSD97370Q5M NexFET 功率级是一种优化设计，适用于高功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了增强型栅极驱动器IC和电源模块技术，以完成功率级开关功能。这种组合可产生高电流、高效率
2025-08-08 09:37
CSD86356Q5D NexFET™ 电源块是针对同步降压应用的优化设计，可在 5 mm × 6 mm 的小型外形中提供高电流、高效率和高频功能。该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，提供了一种灵活的解决方案，
2025-04-15 15:26
