and overcurrent protection by VDS sensing with response time less than 1µs器件型号名称产品系列设计套件与评估模块CSD88599Q5DC
2018-09-11 17:27
CSD88584Q5DC 40V 电源块是针对大电流电机控制应用（如手持式、无绳花园和电动工具）的优化设计。该器件采用 TI 的专利堆叠芯片技术，以最大限度地减少寄生电感，同时在节省空间的热增强型
2025-04-16 09:49
这款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件：CSD18513Q5A 40V N 沟道 NexFET
2025-04-16 10:54
这款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件：CSD18512Q5B 40 V N 沟道 NexFET
2025-04-16 10:20
这款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件：CSD18510Q5B N 沟道 NexFET 功率
2025-04-16 10:05
CSD86356Q5D NexFET™ 电源块是针对同步降压应用的优化设计，可在 5 mm × 6 mm 的小型外形中提供高电流、高效率和高频功能。该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，提供了一种灵活的解决方案，
2025-04-15 15:26
这款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换损耗 应用。 *附件：CSD17581Q3A 30V N 沟道
2025-04-16 11:25
最近的发布会有点密集，各大品牌都纷纷召开新品发布会，这不realme Q5系列就在今天下午发布，系列内包含Q5i、Q5及Q5 Pro三款手机，价格从1199至2199元
2022-04-20 16:22
这款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换中的损耗 应用。 *附件：CSD18543Q3A 60V N 沟道
2025-04-16 10:35
这款 40 V、1.9 mΩ、SON 5 × 6 mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。 *附件：csd18511q5a.pdf 特性 低 R DS（开启
2025-04-16 10:45
