CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)与其他技术相比，CGHV96130F内部适应(IM)FET具有出色的功率附加效率。与砷化镓相比
2023-12-13 10:10
本文将介绍 LNA 和PA 的作用和要求及其主要特性，然后介绍典型的 GaAs 和 GaN 器件以及在利用这些器件进行设计时应牢记的事项。
2021-06-10 07:50
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27
CGHV40180是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。具备前所未有的输入，能够在DC-2.0GHz范围之内提供最好的的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比较，CGHV40180具有更加优异
2024-01-02 12:05
概述：MAX14800采用48引脚TQFP封装，所有器件都工作于0°C至+70°C商业级温度范围。可为超声成像和打印机应用提供16通道高压开关。该系列器件采用HVCMOS工艺，提供16个高压低电荷注入SPST开关，...
2021-04-14 06:25
效。尤其是考虑到能效和功率耗散时，GaN PA 极具成本竞争力。Cree/Wolfspeed CGHV14800F（1200 到1400 MHz，800 W 器件）是最新的一些基于GaN 的PA 代表
2017-07-21 10:33
效。尤其是考虑到能效和功率耗散时，GaN PA 极具成本竞争力。Cree/Wolfspeed CGHV14800F（1200 到1400 MHz，800 W 器件）是最新的一些基于GaN 的PA 代表
2019-05-14 19:11
什么，但我想向嵌入式方向发展。这两天，上海上嵌 来我们学校做培训课程宣传，学习时间大概4个月，学习之后可拿到嵌入式工程师相关证书，学费14800，报名先交800，从开始学算，9个月后剩下的学费每个月从工资
2015-03-20 17:06
STM32F0 F1F2F3F4 系列芯片资料下载地址：http://www.y-ec.com/down/class/STM32F0 F1F2F3F4 系列芯片数据手册
2012-12-20 13:40
AT32F403/F403A/F407/F413 RTC 日历的使用演示AT32F403/
2023-10-26 07:32
