以下是CEU4201-VB晶体管的详细介绍和参数说明：### 产品简介：CEU4201-VB是由VBsemi品牌生产的P沟道场效应管，采用TO252封装，丝印为VBE2412。它具有高电流和适中
2024-05-28 16:07 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：CEU4311-VB丝印：VBE2317品牌：VBsemi参数：- P沟道- 额定电压：-30V- 最大电流：-40A- 开态电阻 (RDS(ON))：18mΩ @ 10V, 25m
2023-12-14 16:42 微碧半导体VBsemi 企业号
产品简介：CEU4301-VB是VBsemi品牌的一款P-Channel沟道场效应管，采用TO252封装。该器件能够承受最大-40V的负电压，具有-65A的电流输出能力。在10V的门源极电压下，其导
2024-05-28 16:08 微碧半导体VBsemi 企业号
产品简介：CEU6186-VB是VBsemi品牌的N—Channel沟道场效应晶体管，具有60V的耐压能力和45A的电流承受能力。其关键参数包括RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V，VGS
2024-05-28 16:16 微碧半导体VBsemi 企业号
一、产品简介：CEU6060R-VB 是由 VBsemi 生产的 N-Channel 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。它具有正压 60V、电流 45A 和 RDS(ON) 为 24m
2024-05-28 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介：**CEU6336-VB 是 VBsemi 品牌的一款 N-Channel 沟道 MOSFET，适用于中高压、高电流应用场景。具有60V的工作电压、45A的典型电流和24mΩ的低开通
2024-05-28 16:17 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：CEU12N10-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：N沟道- 额定电压：100V- 最大连续电流：18A- 静态开启电阻（RDS(ON)）：115mΩ @ 10V
2023-12-14 17:09 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介：**CEU6060N-VB是VBsemi品牌推出的N沟道场效应管。它是一款高性能的功率器件，适用于广泛的电子应用领域，提供可靠的功率开关和电流控制功能。**详细参数说明：**- 通道
2024-05-28 16:10 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是CEU20N06-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的语段形式说明：### 产品简介：CEU20N06-VB是VBsemi生产的N沟道场效应管，封装为TO252。具有60V的工作
2024-05-28 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介：**CEU6426-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应晶体管，具有60V的漏极-源极电压承受能力，最大漏极电流为45A，漏极-源极电阻在10V下为24mΩ。该器件的门极-源极电压
2024-05-28 16:19 微碧半导体VBsemi 企业号
